时间：2025/9/13 23:10:27
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PDTA144WM 是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的 PowerT6 封装技术。这款 MOSFET 主要设计用于高功率密度和高效率的应用，具有较低的导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能。PDTA144WM 适用于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制和电池供电设备等场景。其 PowerT6 封装（也称为 TO247 或 I2PAK）提供了良好的散热性能，使得该器件能够在高电流和高温环境下稳定运行。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压（Vds）：100V
最大漏极电流（Id）：180A
导通电阻（Rds(on)）：4.4mΩ @ Vgs = 10V
栅极电压（Vgs）：±20V
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装：PowerT6 (I2PAK)
PDTA144WM 的主要特性之一是其低导通电阻，仅为 4.4mΩ。这一特性显著降低了导通损耗，从而提高了系统效率，特别适用于高电流应用场景，如大功率电源转换和电机驱动。此外，低 Rds(on) 有助于减少发热，提高系统可靠性。
另一个关键特性是其高电流承载能力。PDTA144WM 可以承受高达 180A 的漏极电流，这使得它在需要高功率输出的系统中表现出色。该器件采用先进的封装技术，具备优异的热管理能力，能够在高温环境下稳定运行，提高了整体系统的耐用性和稳定性。
PDTA144WM 还具有良好的栅极驱动特性，支持 ±20V 的最大栅极电压，使其能够与多种栅极驱动电路兼容。这一特性不仅提高了设计的灵活性，还确保了在不同工作条件下的稳定性和可控性。
此外，PDTA144WM 在宽温度范围内（-55°C 至 175°C）均可正常工作，适用于恶劣环境下的工业和汽车应用。其高热稳定性和耐久性使其成为要求苛刻的功率管理应用的理想选择。
PDTA144WM 广泛应用于多种高功率电子系统中。其中一个主要应用是电源管理系统，特别是在服务器电源、工业电源和电信电源中。由于其低导通电阻和高电流能力，该器件能够在这些系统中实现高效率的功率转换，减少热量产生并提高可靠性。
在 DC-DC 转换器和同步整流器中，PDTA144WM 常用于升压（Boost）或降压（Buck）拓扑结构中，以实现高效的能量转换。这类应用在电池管理系统、太阳能逆变器以及电动汽车充电系统中非常常见。
此外，PDTA144WM 还适用于电机控制应用，例如无刷直流电机（BLDC）驱动器和电动工具。在这些应用中，MOSFET 需要频繁开关以控制电机速度和扭矩，而 PDTA144WM 的低开关损耗和高耐流能力使其成为理想选择。
在汽车电子领域，该器件可用于车载充电器（OBC）、电池管理系统（BMS）和48V轻混系统中的功率转换模块。其高可靠性和宽工作温度范围确保了在汽车复杂环境下的稳定运行。
SiHF180N10T, FDP180N10A, IPP180N10N3G
