时间：2025/4/29 14:55:49
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YFW10N50AF是一种高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于开关电源、电机驱动、逆变器和其他需要高效能功率控制的场合。该器件属于N沟道增强型MOSFET，其设计优化了导通电阻和开关性能，以满足高效率和高可靠性要求。
YFW10N50AF采用了先进的制造工艺，能够在较高的电压下稳定工作，并且具有较低的导通电阻，从而减少功率损耗。此外，它还具备良好的热特性和抗干扰能力，适合在严苛的工作环境下使用。
最大漏源电压：500V
连续漏极电流：10A
导通电阻：0.18Ω
栅极电荷：45nC
输入电容：1200pF
总功耗：125W
工作温度范围：-55℃至+150℃
1. 高耐压能力，适用于高压环境下的功率转换应用。
2. 低导通电阻设计，有效降低功率损耗并提高系统效率。
3. 快速开关速度，支持高频操作，有助于减小磁性元件体积。
4. 良好的热稳定性，确保长时间运行时的可靠性和安全性。
5. 小型化封装，便于PCB布局和散热管理。
6. 符合RoHS标准，环保无害，适用于绿色能源解决方案。
1. 开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流元件。
2. 电机驱动电路中的功率开关。
3. 太阳能逆变器和不间断电源（UPS）的核心功率组件。
4. LED照明驱动电路中的高效功率控制器。
5. 工业自动化设备中的功率转换模块。
6. 汽车电子系统中的负载开关或DC-DC转换器元件。
IRF840
FQA14N50C
STP10NK50Z
