MMBR0520 时间：2025/8/16 20:50:16 阅读：8

MMBR0520 是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）制造的双极型晶体管（BJT），属于PNP型晶体管。该器件设计用于低噪声前置放大器、开关电路以及通用放大器应用。MMBR0520以其低噪声特性、高增益性能和稳定的工作特性而著称，适用于需要高性能晶体管的模拟和射频电路设计。

参数

晶体管类型：PNP
　　最大集电极电流：100mA
　　最大集电极-发射极电压：30V
　　最大集电极-基极电压：30V
　　最大基极电流：20mA
　　最大功耗：300mW
　　最大工作温度：150°C
　　增益带宽积：100MHz
　　噪声系数：4dB
　　封装类型：SOT-23

特性

MMBR0520的主要特性包括低噪声系数和高增益性能，这使得它非常适合用于前置放大器和低噪声放大器（LNA）设计。其增益带宽积为100MHz，能够支持高频信号的放大应用。此外，MMBR0520采用SOT-23封装，具有较小的封装尺寸，适合在空间受限的电路板设计中使用。该晶体管的工作温度范围较宽，可在-55°C至150°C之间稳定工作，适应多种工作环境。
　　这款晶体管的另一个显著特性是其优异的线性性能，这使得它在射频（RF）信号放大和混频电路中表现出色。同时，MMBR0520的高可靠性和良好的热稳定性确保了在高负载条件下的稳定运行。该器件还具有较低的基极电阻，有助于提高高频应用中的性能表现。