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HY51V7400CT-60 发布时间 时间:2025/9/1 23:54:07 查看 阅读:9

HY51V7400CT-60 是一款由Hynix(现为SK Hynix)生产的高速动态随机存取存储器(DRAM)芯片。这款芯片属于DRAM存储器的一种,常用于需要高性能和高容量存储的电子设备中。HY51V7400CT-60 采用CMOS工艺制造,具有低功耗、高速访问等优点。该芯片广泛应用于工业控制、嵌入式系统、网络设备等领域。

参数

容量:1M x 72 x 4 banks
  类型:DRAM
  电压:3.3V
  封装:TSOP
  速度:60MHz
  数据宽度:72位
  引脚数:54
  工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)

特性

HY51V7400CT-60 是一款高性能的DRAM芯片,具备高速数据存取能力和低功耗特性。其采用CMOS技术,具有良好的稳定性与可靠性。
  该芯片的容量为1M x 72位,并支持4个存储体(banks),使其适用于需要大量数据存储和高速处理的应用场景。
  其工作电压为3.3V,能够有效降低功耗,同时满足工业级工作温度要求,可在恶劣环境下稳定运行。
  此外,HY51V7400CT-60 支持突发模式访问,提高了数据传输效率。其TSOP封装形式有利于散热和空间优化,适用于紧凑型电子设备的设计。
  该芯片还具备自动刷新和自刷新功能,能够在不中断系统运行的情况下维持数据的完整性,延长系统的运行时间。

应用

HY51V7400CT-60 主要用于工业控制设备、嵌入式系统、网络设备以及高性能计算模块等场景。例如,在通信设备中,该芯片可用于缓存数据、提升系统响应速度;在工业自动化系统中,它可作为主存储器用于运行复杂的控制算法;在嵌入式设备中,该DRAM芯片可提供大容量的临时存储空间,以支持多任务处理和高速数据交换。

替代型号

HY51V7400CT-60S

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