HY5PS561621BFP-2 是由现代(Hynix,现为SK Hynix)生产的一款高性能DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片属于PSRAM(伪静态RAM)类别,具备类似SRAM的接口和DRAM的存储单元,适用于需要中高密度存储但又不希望使用复杂DRAM控制器的应用场景。HY5PS561621BFP-2采用CMOS工艺制造,具有低功耗、高集成度和高速访问的特点,广泛用于嵌入式系统、工业控制、便携设备和消费电子产品中。
容量:8Mbit
组织方式:512K x 16
电源电压:2.3V - 3.6V
访问时间:55ns
封装类型:TSOP
引脚数:54
工作温度范围:-40°C ~ +85°C
最大工作频率:约18MHz
数据保持电压:1.5V
HY5PS561621BFP-2具备多种高性能特性。首先,其工作电压范围较宽(2.3V至3.6V),使其适用于多种电源管理设计,并提高了在不同系统中的兼容性。该芯片的访问时间仅为55ns,意味着其读取速度较快,能够满足中等性能嵌入式系统的实时数据存取需求。
此外,HY5PS561621BFP-2采用CMOS工艺,功耗较低,特别适用于需要电池供电的便携设备。其数据保持电压最低可至1.5V,进一步延长了设备在低功耗模式下的运行时间。
该芯片的封装形式为54引脚TSOP,具有较好的热稳定性和机械可靠性,适合工业级和车载应用环境。其工作温度范围为-40°C至+85°C,确保了在极端环境下的稳定运行。
HY5PS561621BFP-2的接口兼容异步SRAM,无需复杂的DRAM控制器即可操作,简化了系统设计并降低了成本。此外,该芯片具备自动刷新和睡眠模式,进一步优化了功耗表现。
HY5PS561621BFP-2广泛应用于多种嵌入式系统和工业控制设备中。由于其接口与SRAM兼容,且容量大于传统SRAM芯片,因此常用于需要中等容量高速缓存的场合,如通信模块、智能卡终端、工业自动化设备和测试测量仪器。
在消费类电子产品中,该芯片常被用于数码相机、手持游戏机、电子书阅读器和便携式媒体播放器等设备,作为临时数据存储器或帧缓存。此外,其低功耗和宽温特性也使其适用于车载导航系统、车载娱乐设备和远程监控装置。
在工业和物联网(IoT)应用中,HY5PS561621BFP-2可用于数据采集系统、无线传感器节点、智能家居控制器等场景,提供可靠的数据存储支持。
IS66WV51216BLL-55NLI, CY7C1471BV18-55BZC, A66C1028V55-55