2N7002EDW T/R 时间：2025/8/15 2:14:27 阅读：6

2N7002EDW T/R是一款由STMicroelectronics制造的N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），广泛用于开关和放大电路。这款晶体管采用Tape and Reel（T/R）封装方式，适合自动化装配流程，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关等场景。

参数

类型：N沟道
　　漏极电流（ID）：115mA
　　漏源电压（VDS）：60V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值5Ω（在VGS=10V时）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：SOT-323（也称为SC-70）

特性

2N7002EDW T/R具有出色的导通性能和较低的导通电阻，使其在高频开关应用中表现出色。该器件采用先进的平面技术，确保了稳定的电气特性和高可靠性。其SOT-323封装体积小巧，适合高密度PCB设计。此外，该MOSFET具备良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行，适用于各种工业和消费类电子产品。
　　该晶体管的栅极氧化层设计使其能够承受高达±20V的栅源电压，提高了器件在复杂电路环境中的适应能力。同时，其低输入电容和快速开关特性有助于减少开关损耗，提高整体系统效率。此外，2N7002EDW T/R还具备良好的抗静电能力，增强了器件在实际应用中的稳定性。

应用

2N7002EDW T/R常用于低功率开关应用，例如电池供电设备中的负载开关、LED驱动电路、逻辑电平转换、继电器驱动、DC-DC转换器以及电源管理系统。由于其小巧的SOT-323封装和出色的电气性能，它也广泛应用于便携式电子产品、智能卡读写器、传感器接口电路以及各种嵌入式控制系统中。在工业自动化、汽车电子和消费类电子设备中，该器件都能提供可靠的开关控制功能。