时间：2025/8/2 8:58:59
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APM2301CAC-TRG 是一款由 Diodes 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件设计用于高性能电源管理应用，具有低导通电阻、高耐压和优良的热稳定性，适用于 DC-DC 转换器、负载开关、电源管理系统以及电池供电设备等场景。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压(Vds)：30V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：4.3A（@25℃）
导通电阻(Rds(on))：23mΩ（@Vgs=10V）
功率耗散(Pd)：2.5W
工作温度范围：-55℃ ~ 150℃
封装类型：SOT-23
引脚数：3
APM2301CAC-TRG 具备多个关键特性，使其在电源管理应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。其次，该器件的高耐压能力（Vds=30V）使其能够应对较高的电压应力，适用于多种中等功率应用场景。此外，APM2301CAC-TRG 采用 SOT-23 小型封装，体积小巧，便于在空间受限的设计中使用，同时具备良好的热管理能力，确保在高电流负载下仍能保持稳定工作。
在可靠性方面，APM2301CAC-TRG 具有优良的热稳定性和抗静电能力，能够在复杂电磁环境下稳定运行。此外，该器件的栅极驱动电压范围较宽（±20V），兼容多种控制电路设计，提升了设计灵活性。综合来看，APM2301CAC-TRG 是一款性能稳定、效率高、适用于多种电源管理场合的功率 MOSFET。
APM2301CAC-TRG 主要应用于 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电源管理系统、电池供电设备、便携式电子产品、电机驱动电路以及各类低电压高效率功率转换系统。其小型封装和高效率特性使其特别适用于对空间和功耗要求严格的嵌入式系统和手持设备。
Si2301DS, AO3400A, FDS6675, IRML2802
