时间：2025/6/25 16:00:45
阅读：3
XPN60N07A1是一种N沟道功率MOSFET，适用于多种电源管理应用。该器件具有低导通电阻和快速开关特性，能够有效降低功耗并提升系统效率。其700V的额定电压使其非常适合用于高压环境下的各种电路设计，例如开关电源、电机驱动和工业控制等场景。
最大漏源电压：700V
连续漏极电流：6.8A
导通电阻：2.5Ω
栅极电荷：40nC
总电容：330pF
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
XPN60N07A1采用了先进的工艺技术制造，具备以下特点：
1. 高耐压能力，支持高达700V的工作电压。
2. 低导通电阻，有助于减少导通损耗。
3. 快速开关速度，降低开关损耗。
4. 优异的热稳定性和可靠性，确保在极端条件下正常运行。
5. 小型封装设计，节省PCB空间。
6. 符合RoHS标准，绿色环保。
XPN60N07A1广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率转换。
2. 电机驱动器中的功率级控制。
3. 工业自动化设备中的负载切换。
4. 不间断电源（UPS）系统中的逆变器模块。
5. LED照明驱动电路。
6. 各种需要高压大电流处理能力的电子设备。
XPN60N07A, IRF650N, STP60NF07
