时间：2025/8/11 19:24:14
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CEWP140N10是一款高功率密度的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效能功率转换应用而设计。该器件采用了先进的沟槽式技术，提供低导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，使其成为工业电源、电动工具、太阳能逆变器和电动车系统等高要求应用的理想选择。CEWP140N10封装形式通常为TO-247或类似的高功率封装，确保良好的散热性能。
类型：N沟道MOSFET
漏极-源极电压(Vds)：100V
栅极-源极电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：140A（在25°C）
导通电阻(Rds(on))：约5.3mΩ（最大值）
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：TO-247
功率耗散(Pd)：300W（最大值）
漏极-栅极电容(Cdg)：约1.5nF
漏极-源极击穿电压：100V
CEWP140N10具备多项高性能特性，首先，其低导通电阻显著降低了导通损耗，从而提高了系统的整体效率。其次，器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，优化了电场分布，提高了器件的耐压能力，同时确保了在高温下的稳定运行。此外，CEWP140N10具有优异的热稳定性，能够在高功率密度和高工作温度环境下保持良好的性能。其封装设计提供了良好的散热能力，确保长时间运行的可靠性。
此外，CEWP140N10的栅极驱动特性优化，具有较低的输入电容和开关损耗，使器件在高频开关应用中表现出色。器件还具备良好的抗短路能力和过载保护功能，能够在恶劣的工作环境下保持稳定。其高雪崩能量耐受能力也使其在需要高可靠性的应用中具有优势。
CEWP140N10广泛应用于各类高功率和高效率要求的电力电子系统中。例如，它常用于DC-DC转换器、同步整流器、电源管理系统、电动工具驱动器、工业电机控制、电池管理系统（BMS）以及新能源设备如太阳能逆变器和储能系统。此外，由于其优异的导热性能和可靠性，CEWP140N10也适用于电动车（EV）和混合动力车（HEV）中的功率控制模块。
IPW140N10A, FDP140N10A, STP140N10F7, IPU140N10A
