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NTMD4820NR2G 发布时间 时间:2023/4/14 11:58:51 查看 阅读:187

分离式半导体产品

目录

概述

类别:分离式半导体产品

家庭:MOSFETs - 阵列

FET 型:2 个 N 沟道(双)

FET 特点:逻辑电平门

开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:20 毫欧 @ 7.5A, 10V

漏极至源极电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:4.9A

Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250μA

闸电荷(Qg) @ Vgs:7.7nC @ 4.5V

在 Vds 时的输入电容(Ciss) :940pF @ 15V

功率 - 最大:750mW

安装类型:表面贴装

封装/外壳:8-SOIC(3.9mm 宽)

包装:带卷 (TR)

供应商设备封装:8-SOIC (窄型)

资料

厂商
ON Semiconductor

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NTMD4820NR2G参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列-
  • FET 型2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4.9A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C20 毫欧 @ 7.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs7.7nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds940pF @ 15V
  • 功率 - 最大750mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOICN
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称NTMD4820NR2G-NDNTMD4820NR2GOSTR