分离式半导体产品
类别:分离式半导体产品
家庭:MOSFETs - 阵列
FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:20 毫欧 @ 7.5A, 10V
漏极至源极电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:4.9A
Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs:7.7nC @ 4.5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :940pF @ 15V
功率 - 最大:750mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(3.9mm 宽)
包装:带卷 (TR)
供应商设备封装:8-SOIC (窄型)
厂商 |
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ON Semiconductor |