XCA111ME 时间：2025/7/21 20:24:07 阅读：8

XCA111ME 是一款由 Vishay Siliconix 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源管理和功率开关应用。这款器件设计用于在高频率和高电流条件下提供出色的性能和可靠性。XCA111ME 采用了先进的沟槽技术，使其在低导通电阻（Rds(on)）和高开关速度方面表现出色，适用于各种电源转换系统。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏极-源极电压（Vds）：20V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±12V
　　连续漏极电流（Id）：60A
　　导通电阻（Rds(on)）：8.5mΩ @ Vgs = 10V
　　功率耗散（Pd）：47W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

XCA111ME MOSFET 具备多个关键特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）能够显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件的导通电阻仅为 8.5mΩ，在 Vgs = 10V 的条件下，可以支持较大的工作电流，从而减少发热并提高系统的稳定性。
　　其次，XCA111ME 的最大漏极-源极电压为 20V，最大连续漏极电流为 60A，使其适用于中高功率的电源转换器、DC-DC 转换器以及负载开关应用。此外，该器件具有良好的热性能，其封装设计能够有效地将热量传导至 PCB，从而降低工作温度，提高长期运行的可靠性。
　　该 MOSFET 还具有较高的开关速度，适用于高频操作环境。其栅极电荷（Qg）较低，减少了开关损耗，并提高了整体系统效率。这使得 XCA111ME 在需要快速开关的电源应用中表现出色，例如同步整流器、电池管理系统以及电机驱动电路。
　　最后，XCA111ME 采用 TO-252（DPAK）封装，具备良好的机械强度和热稳定性，适合在多种工业和消费类电子产品中使用。该封装形式还支持表面贴装技术（SMT），提高了 PCB 布局的灵活性和自动化生产效率。