时间：2025/6/5 21:43:20
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DMN10H120SE是来自Diodes Incorporated的一款N沟道MOSFET晶体管。该器件采用DFN3030-8封装，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合用于各种电源管理、负载开关以及电机驱动应用。其耐压能力达到120V，适用于需要较高电压的电路设计。
这款MOSFET以其出色的性能在消费电子、通信设备及工业控制领域得到了广泛应用。
最大漏源电压：120V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：10A
导通电阻（典型值）：6.5mΩ
总功耗：1.7W
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装类型：DFN3030-8
DMN10H120SE是一款高效能的功率MOSFET，主要特点如下：
1. 极低的导通电阻，可减少导通损耗并提高系统效率。
2. 高速开关性能，有助于降低开关损耗。
3. 小型化DFN3030-8封装，节省PCB空间，非常适合紧凑型设计。
4. 宽广的工作温度范围，适应恶劣环境下的稳定运行。
5. 符合RoHS标准，环保且易于集成到现代电子设备中。
DMN10H120SE广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC转换器的高端或低端开关。
3. 各种负载开关场景，如USB端口保护。
4. 电机驱动电路，尤其是小型直流电机控制。
5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
6. 电池管理系统（BMS）中的充放电控制。
DMN10H120SHE, DMN10H120LSE
