型号：X322525MRB4SI
　　制造商：NDK (Nihon Dempa Kogyo)
　　封装尺寸：3225 (3.2 x 2.5 x 0.9 mm)
　　谐振频率：25.000 MHz
　　频率公差（初始）：±10 ppm
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　频率温度特性：±10 ppm (在工作温度范围内)
　　老化率（第一年）：±3 ppm/年
　　负载电容：18 pF
　　激励电平：100 μW 典型值
　　等效串联电阻（ESR）：≤ 60 Ω
　　并联电容（C0）：≤ 7 pF
　　驱动电平依赖性（DLD）：符合 EIA-426-B 标准
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　焊接方式：回流焊（符合 JEDEC J-STD-020）
　　RoHS合规性：符合无铅环保标准

X322525MRB4SI晶体单元的核心特性之一是其卓越的频率稳定性，这使其成为高精度时钟应用的理想选择。在整个工业级温度范围（-40°C 至 +85°C）内，频率偏差控制在±10 ppm以内，确保了即使在环境温度剧烈变化的情况下，系统仍能维持稳定的时序基准。这种高稳定性得益于NDK先进的石英晶片加工技术和严格的密封工艺，有效减少了外界热应力对晶格结构的影响。此外，该器件的老化率仅为±3 ppm/年，在长时间运行中能够保持频率输出的一致性，显著提升了系统的长期可靠性，特别适用于需多年连续运行的网络设备、测量仪器和工业控制器。
　　另一个关键优势是其小型化封装设计。采用3225标准尺寸，X322525MRB4SI在保证机械强度的同时大幅节省了PCB空间，非常适合智能手机、平板电脑、可穿戴设备及物联网终端等追求轻薄化的应用场景。其表面贴装（SMD）形式支持自动化高速贴片，提高了生产效率并降低了制造成本。同时，该晶振具备良好的抗机械冲击和振动性能，经过严格测试验证可在频繁移动或震动环境中稳定工作，例如车载电子或便携式医疗设备。
　　电气方面，X322525MRB4SI设计为18 pF负载电容匹配，典型激励功率为100 μW，等效串联电阻（ESR）不超过60 Ω，这些参数优化了起振时间和功耗表现，有助于提升整个系统的启动速度与能效。其低相位噪声和高Q值特性也增强了信号纯净度，有利于减少通信误码率。此外，产品通过AEC-Q200认证的可能性较高，表明其具备车规级可靠性潜力。综合来看，X322525MRB4SI凭借高精度、小尺寸、强稳定性和良好兼容性，成为众多高端电子系统中不可或缺的时钟元件。

X322525MRB4SI广泛应用于各类需要高精度时钟源的电子系统中。在通信领域，它常用于以太网交换机、路由器、无线基站模块和光纤传输设备，为其提供主时钟参考信号，确保数据同步和传输稳定性。在消费类电子产品中，如智能手机、智能手表、TWS耳机和高清电视，该晶振用于处理器、蓝牙/WiFi模组和显示驱动芯片的时钟供给，保障系统的正常运行与时序协调。工业控制方面，X322525MRB4SI被集成于PLC控制器、传感器节点、人机界面（HMI）和远程监控终端中，支持实时数据采集与处理任务。此外，在汽车电子系统中，包括车载信息娱乐系统、ADAS辅助驾驶模块和车身控制单元，该器件也能发挥其高可靠性和温度适应性强的优势。由于其符合RoHS标准且支持无铅回流焊工艺，X322525MRB4SI同样适用于医疗设备、智能家居网关、无人机飞控系统以及各种嵌入式物联网节点，作为核心时钟源确保设备长期稳定运行。

NX3225SA-25.000MHz}