时间：2025/12/26 23:31:14
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SZ1SMB12CAT3G是一款由ON Semiconductor（安森美）生产的表面贴装硅瞬态电压抑制二极管（TVS Diode），专为保护敏感电子设备免受瞬态高能量脉冲的损害而设计。该器件采用SMB（DO-214AA）封装，具有紧凑的外形和高效的散热性能，适用于各种需要电路保护的应用场景。SZ1SMB12CAT3G属于齐纳击穿型TVS二极管，能够在反向电压达到其击穿电压时迅速导通，将过电压钳位在安全水平，从而防止下游电路受到静电放电（ESD）、电感负载切换、雷击感应等瞬态干扰的影响。该器件符合AEC-Q101汽车级可靠性标准，适合在严苛环境下使用，例如汽车电子系统、工业控制和通信设备中。此外，产品还满足无铅（Pb-free）和RoHS环保要求，支持现代绿色制造工艺。
该TVS二极管的标称击穿电压为12V，工作于双向模式，意味着它可以同时抑制正负方向的瞬态电压冲击，提升了对复杂信号线路的保护能力。其峰值脉冲功率可达600W（10/1000μs波形），响应时间极短（通常小于1ps），能够在瞬态事件发生的瞬间快速动作，确保被保护元件不受损坏。由于其低动态电阻和稳定的钳位特性，SZ1SMB12CAT3G在高频和高速数据接口中表现出色，广泛用于电源线、I/O端口和通信总线的浪涌防护。
类型：双向TVS二极管
封装：SMB（DO-214AA）
通道数：单通道
击穿电压（V_BR min）：10.8V
击穿电压（V_BR max）：11.9V
测试电流（I_T）：1mA
最大钳位电压（V_C）：19.9V
峰值脉冲电流（I_PP）：30.2A
峰值脉冲功率（P_PM）：600W
反向待机电流（I_R）：1μA
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
存储温度范围：-55°C ~ +150°C
湿度敏感等级（MSL）：1级
符合标准：AEC-Q101，RoHS，无卤素
SZ1SMB12CAT3G具备优异的瞬态电压抑制能力，能够在短时间内吸收高达600W的峰值脉冲功率，有效抵御来自外部环境或内部开关操作所产生的电压尖峰。其双向结构设计使其能够同时应对正向和负向的瞬态冲击，特别适用于交流信号线路或双极性供电系统的保护。该器件的击穿电压公差控制严格，在10.8V至11.9V范围内精确稳定，确保在不同批次间具有一致的保护阈值，提升系统设计的可靠性。
该TVS二极管采用先进的硅结技术，具有极低的漏电流（典型值仅为1μA），在正常工作状态下几乎不消耗额外功耗，不会对原电路造成负担。其快速响应时间远低于传统过压保护器件（如压敏电阻），可在皮秒级别内完成导通动作，显著缩短了瞬态电压作用于负载的时间窗口，极大增强了对高速数字电路和精密模拟前端的保护效果。此外，器件拥有较低的动态阻抗，使得在大电流泄放过程中钳位电压上升幅度小，进一步保障了后级IC的安全运行。
SZ1SMB12CAT3G的SMB封装不仅体积小巧，便于在高密度PCB布局中使用，而且具备良好的热传导性能，有助于在多次浪涌冲击后快速散热，延长使用寿命。该器件通过了AEC-Q101汽车级认证，表明其在高温、高湿、振动和热循环等恶劣条件下仍能保持稳定性能，适用于车载信息娱乐系统、车身控制模块、电机驱动单元等关键部位。同时，产品符合国际环保标准，不含铅和卤素，支持回流焊工艺，适应现代化自动贴片生产线的需求，是高可靠性电子系统中理想的过压保护解决方案。
SZ1SMB12CAT3G广泛应用于多种需要瞬态电压保护的电子系统中，尤其适合汽车电子领域，如车载导航、倒车雷达、ECU控制单元、CAN/LIN总线接口等，可有效防范因电源波动或电磁干扰引起的损坏。在工业控制系统中，它常用于PLC输入输出端口、传感器信号线和继电器驱动电路的浪涌防护。此外，该器件也适用于通信设备中的以太网端口、RS-485/RS-232接口、USB电源管理模块等，提供可靠的ESD和EFT保护。消费类电子产品如智能家居控制器、电源适配器、LED照明驱动电源也可采用此TVS二极管来增强系统鲁棒性。由于其双向特性和紧凑封装，特别适合用于直流偏置信号线或存在反向电压风险的场合，是现代电子设计中不可或缺的基础保护元件。
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"SMAJ12CA",
"P6KE12CA",
"TPSMBA12CA",
"SP3SMB12AT3G",
"ESD9L12.0ST5G"
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