类型：MOSFET继电器（无触点）
　　通道数：1（单通道）
　　封装形式：SOP-4
　　输入正向电压（VF）：1.2V（典型值，IF=5mA）
　　输入反向电压（VR）：5V
　　最大输入电流（IF max）：50mA
　　输出导通电阻（RON）：典型值1.5Ω，最大值2.5Ω
　　输出耐压（VDS）：60V（最大值）
　　连续负载电流（IO）：120mA（最大值）
　　断态漏电流（ID OFF）：小于1μA（典型值）
　　绝缘电阻：大于10^9 Ω
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　隔离电压（Viso）：5000Vrms（1分钟，AC）
　　响应时间（Turn-on / Turn-off）：典型值0.3ms / 0.2ms

G3VM-S2-S作为一款高性能的光耦MOSFET继电器，在多个关键性能指标上表现出色。首先，其超低导通电阻（典型值仅为1.5Ω）有效降低了在负载电流通过时的功率损耗和温升，提高了系统的能效表现。这对于电池供电或对热管理要求严格的便携式设备尤为重要。其次，该器件具备优异的电气隔离性能，输入与输出之间的隔离电压高达5000Vrms，能够有效防止高压窜入低压控制侧，保障操作人员和敏感电子元件的安全。这种高等级的隔离能力使其适用于医疗设备、测试测量仪器等对安全性要求极高的场合。
　　此外，G3VM-S2-S采用了表面贴装SOP-4封装，不仅体积小巧，便于自动化贴片生产，还具有良好的散热性能和机械稳定性。其无触点设计从根本上消除了传统电磁继电器常见的机械疲劳、接触抖动和电弧放电等问题，从而实现了长达数十万次以上的开关寿命，远高于普通电磁继电器。同时，该器件的响应速度极快，开通和关断时间均低于1毫秒，适合用于高频切换或精确时序控制的应用场景，例如自动测试设备中的信号路由切换。
　　另一个重要特性是其低驱动需求。只需5mA左右的输入电流即可使内部LED充分发光并触发输出导通，这使得它可以被微处理器GPIO口、逻辑门电路或低功率驱动器直接驱动，无需外加晶体管或缓冲电路，大幅简化了外围电路设计并节省了PCB空间。此外，由于没有电磁线圈，该器件不会产生磁场干扰，也不会受到外部磁场影响，具备出色的电磁兼容性（EMC），适用于高精度模拟信号切换或噪声敏感环境。
　　最后，G3VM-S2-S具备良好的温度稳定性和长期可靠性。即使在-40°C至+85°C的宽温范围内，其主要电气参数仍能保持稳定，确保系统在各种恶劣环境下正常运行。出厂前经过严格的老化筛选和质量控制流程，保证批次一致性与高良品率，适用于大批量工业制造应用。

G3VM-S2-S因其小尺寸、高隔离性和固态可靠性，被广泛应用于多种电子系统中。在工业自动化领域，常用于PLC模块、I/O扩展单元和传感器信号切换，实现控制信号与执行机构之间的安全隔离。在测试与测量设备中，如自动测试仪（ATE）、数据采集系统和多路复用器，该器件可用于精密信号路径的切换，因其低导通电阻和极小的断态漏电流，能够保证信号完整性，减少测量误差。在通信设备中，可用于音频/视频信号切换、线路选择或接口保护电路，提供快速且无噪声的操作体验。
　　在医疗电子设备中，G3VM-S2-S凭借其高隔离电压和符合安全认证的特点，常用于病人连接设备中的信号隔离模块，确保患者安全。在楼宇自控系统中，可用于照明控制、暖通空调（HVAC）设备的状态监测与调节，实现智能节能控制。此外，在消费类电子产品如智能家居网关、安防监控系统中，也可用于低电压信号的远程控制与隔离传输。由于其支持SMT贴装工艺，特别适合现代电子产品向小型化、轻量化发展的趋势，是替代传统电磁继电器的理想选择之一。

G3VM-61VY,G3VM-61GL,G3VM-61GR