时间：2025/8/14 15:55:23
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BAS40W-AU_R1_000A1 是一款由 ROHM（罗姆）公司生产的表面贴装型 N 沟道 MOSFET。该器件设计用于需要高效能和低导通电阻的应用场合，具备良好的热稳定性和快速开关特性。其封装形式为小型表面贴装封装，适用于自动化装配工艺。BAS40W-AU_R1_000A1 在电源管理、负载开关、DC-DC 转换器以及电池供电设备中有着广泛的应用。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：200mA
导通电阻（Rds(on)）：最大 3.5Ω @ Vgs = 10V
功率耗散：200mW
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：SOT-523
BAS40W-AU_R1_000A1 具备多项优良特性，使其在众多电子系统中表现出色。首先，该器件具有较低的导通电阻，在 Vgs = 10V 时最大仅为 3.5Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。其次，其漏源电压为 30V，栅源电压可达 ±20V，提供了良好的电压耐受能力，适用于多种中低压应用场景。此外，该 MOSFET 的连续漏极电流为 200mA，能够在小型封装下提供足够的电流承载能力。
在封装方面，BAS40W-AU_R1_000A1 采用 SOT-523 封装，体积小巧，适合高密度 PCB 布局，并支持自动化贴片工艺。该封装还具备良好的散热性能，确保器件在高负载条件下仍能稳定工作。同时，该器件的功率耗散为 200mW，在保证性能的同时控制了功耗水平，适合用于对功耗敏感的设计。
此外，BAS40W-AU_R1_000A1 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，具备优异的温度适应性，适用于工业级和汽车级应用环境。其内部结构优化设计，具备较高的热稳定性和抗干扰能力，能够在复杂电磁环境中保持可靠运行。
BAS40W-AU_R1_000A1 主要应用于电源管理和开关控制领域。常见的使用场景包括 DC-DC 转换器、负载开关、电池供电设备、手持设备电源控制、LED 驱动电路以及各类低功耗电子产品的开关控制回路。由于其具备良好的导通特性和热稳定性，该器件也常用于汽车电子系统中的小型电源模块和传感器接口电路中。此外，在便携式消费电子产品如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等中，BAS40W-AU_R1_000A1 可作为小型负载开关或信号路径控制器件使用。
BSS138LT1G, 2N7002K, FDV301N, Si2302DS
