时间：2025/11/7 23:33:45
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LMR821G-GTR是一款由Nexperia（安世半导体）生产的表面贴装小信号N沟道MOSFET，采用TSOP6（SOT-363）封装。该器件专为在低电压和低电流应用中提供高效的开关性能而设计，广泛应用于便携式电子设备、电池供电系统、逻辑电平转换、LED驱动以及各种电源管理功能中。LMR821G-GTR基于先进的沟槽栅极MOSFET技术制造，具有极低的导通电阻（RDS(on)），能够在较小的封装内实现优异的功率效率和热性能。其紧凑的六引脚封装允许双MOSFET配置（通常为两个独立的N通道FET或带有共源极/栅极连接的配置），适用于空间受限的应用场景。该器件符合RoHS环保标准，并具备良好的可靠性和稳定性，适合自动化贴片生产流程。由于其低阈值电压特性，LMR821G-GTR可直接由低压逻辑信号（如1.8V、2.5V或3.3V系统）驱动，无需额外的电平转换电路，从而简化了系统设计并降低了整体成本。此外，该器件还具备快速开关能力，有助于减少开关损耗，在高频操作下仍能保持高效率。
类型：N沟道MOSFET
配置：双N沟道（Dual N-Channel）
封装/包装：TSOP-6（SOT-363）
漏源电压（VDS）：20V
栅源电压（VGS）：±8V
连续漏极电流（ID）@25°C：300mA
脉冲漏极电流（IDM）：600mA
导通电阻 RDS(on) @ VGS=2.5V：典型值 750mΩ，最大值 1.1Ω
导通电阻 RDS(on) @ VGS=4.5V：典型值 500mΩ，最大值 720mΩ
阈值电压（VGS(th)）：典型值 1V，范围 0.65V ~ 1.5V
输入电容（Ciss）：约 25pF
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
热阻 Rth(j-a)：约 415 K/W
极性：增强型MOSFET（Enhancement Mode）
LMR821G-GTR采用先进的沟槽栅极MOSFET工艺，具备出色的电气性能与热稳定性，特别适用于对空间和功耗敏感的现代电子系统。其核心优势之一是极低的导通电阻（RDS(on)），在VGS=2.5V时典型值仅为750mΩ，而在更高的栅极驱动电压（如4.5V）下可进一步降低至500mΩ左右，这显著减少了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体能效。这一特性使其非常适合用于电池供电设备中的负载开关、LED亮度调节或电源路径控制等应用。
该器件的阈值电压较低，典型值为1V，确保在低至1.8V甚至更低的逻辑电平下也能实现有效导通，支持与现代微控制器、FPGA或数字信号处理器的直接接口，无需额外的驱动电路。同时，其快速的开关响应时间（上升/下降时间短）和较小的寄生电容（如输入电容Ciss约为25pF）有助于提升高频开关效率，适用于高达数百kHz甚至MHz级别的PWM调光或电源切换场景。
TSOP6（SOT-363）封装不仅体积小巧（典型尺寸约1.6mm × 1.2mm × 0.55mm），而且具有良好的散热性能和机械强度，适合高密度PCB布局。双MOSFET结构允许灵活配置，例如用于双向模拟开关、H桥预驱、电平移位器或并联使用以分担电流负载。器件符合AEC-Q101车规级可靠性标准，具备高抗湿性、抗热冲击能力和长期稳定性，适用于工业控制、消费电子及部分车载电子模块。此外，产品无铅且符合RoHS指令要求，支持绿色环保制造。
LMR821G-GTR广泛应用于多种低功耗、小型化电子系统中。常见用途包括便携式设备中的电源管理模块，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的LCD背光驱动与LED指示灯控制；在电池管理系统中作为充放电路径的开关元件，实现低静态功耗和高效率的能量传输。该器件也常用于逻辑电平转换电路，例如将3.3V微控制器输出转换为5V系统所需的信号电平，或反向进行降压电平匹配，确保数字信号在不同电压域之间可靠传递。
在通信接口保护电路中，LMR821G-GTR可用于I2C、SPI或UART总线上的信号开关，防止总线冲突或过流损坏主控芯片。其双MOSFET结构还可构建简单的模拟多路复用器或音频信号路由开关，适用于音频编解码器外围电路。此外，在DC-DC转换器的同步整流辅助电路、LDO使能控制、热插拔电源管理以及传感器模块的供电隔离等方面也有广泛应用。由于其具备一定的抗干扰能力和稳定的开关特性，该器件也被用于工业自动化、智能家居控制板和物联网终端设备中，执行各类低功率开关任务。
BSS84W-7-F
DMG2304U-7
FDC6322P
2N7002K-7-F
SI2302CDS
