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FV32N103J102EFG 发布时间 时间:2025/6/4 19:57:40 查看 阅读:4

FV32N103J102EFG是一款高性能的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于功率转换和电机驱动等应用。该器件采用N沟道增强型技术,具有较低的导通电阻和快速开关特性,适合于高效率、高频工作的应用场景。
  该型号属于Fairchild Semiconductor(现为ON Semiconductor的一部分)的产品系列,广泛应用于电源管理、工业自动化、消费电子等领域。

参数

最大漏源电压:100V
  连续漏极电流:3.6A
  导通电阻:0.18Ω
  栅极电荷:9nC
  开关时间:ton=15ns, toff=10ns
  工作结温范围:-55℃至+150℃

特性

FV32N103J102EFG采用了先进的制造工艺,使其具备以下显著特性:
  1. 超低导通电阻,有助于降低功耗并提高系统效率。
  2. 快速开关速度,适用于高频开关电源设计。
  3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常条件下的可靠性。
  4. 小型化封装,节省电路板空间,便于高密度布局。
  5. 符合RoHS标准,环保且满足全球法规要求。
  此外,其优化的热性能设计可以有效提升散热能力,确保长期稳定运行。

应用

这款MOSFET适用于多种电力电子应用领域,包括但不限于:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率开关元件。
  2. 直流-直流转换器的核心组件。
  3. 电机驱动电路中的功率级控制。
  4. 汽车电子系统的负载开关。
  5. 电池管理系统中的保护电路。
  6. 工业自动化设备中的信号切换与功率放大。
  由于其优良的电气性能和可靠性,该器件特别适合需要高效能和高可靠性的场景。

替代型号

FDP5802, IRFZ44N, AO3400