时间：2025/8/17 3:39:10
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MMBT5551G1 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的通用 NPN 型晶体管，广泛用于中等功率放大和开关应用。该器件采用 SOT-23（小外形晶体管）封装，适合表面贴装技术（SMT），在各种电子电路中作为放大器或数字开关使用。
类型：NPN 晶体管
集电极-发射极电压（VCEO）：150V
集电极-基极电压（VCBO）：160V
发射极-基极电压（VEBO）：5V
最大集电极电流（IC）：100mA
最大功耗（PD）：300mW
工作温度范围：-55°C 至 150°C
存储温度范围：-55°C 至 150°C
增益带宽积（fT）：100MHz
电流增益（hFE）：典型值 80 至 600（根据不同的工作条件）
MMBT5551G1 具有良好的电流放大性能，适用于广泛的模拟和数字电路应用。其高击穿电压特性（VCEO=150V）使其在高压开关电路中表现出色，同时在高频应用中也具备一定的性能优势。此外，该器件的封装尺寸小，适合高密度 PCB 布局。由于其标准化的引脚排列和广泛的工作温度范围，MMBT5551G1 适用于工业控制、电源管理和消费类电子产品中的信号放大与开关控制。
该晶体管具有良好的线性特性，适用于音频放大器中的前置放大级。同时，由于其较高的最大工作频率（fT=100MHz），也可用于射频信号处理和高速数字开关应用。MMBT5551G1 的封装设计具备良好的热稳定性和机械可靠性，适合自动化生产和长期运行的工业设备使用。
从电气特性来看，MMBT5551G1 的 hFE（电流增益）范围较宽，可以在不同的偏置条件下提供稳定的放大效果。其最大集电极电流为 100mA，足以驱动小型继电器、LED 显示器或其他低功耗负载。此外，该器件的低饱和电压特性也有助于降低功耗并提高电路效率。
MMBT5551G1 主要用于需要中等功率放大的电路中，例如音频放大器的前置级、数字逻辑电路中的开关元件、电压调节电路、继电器驱动电路、LED 驱动器以及各种传感器接口电路。此外，它也常用于工业控制设备、消费类电子产品和通信设备中的信号处理和电源管理部分。
MMBT5551, BC547, BC550, PN2222A, 2N3904
