品牌：Renesas Electronics
　　系列：Xicor?
　　nvSRAM 容量：32k x 8 位 (256 Kbit)
　　接口类型：并行接口
　　工作电压范围：3.3V ± 10% (3.0V 至 3.6V)
　　访问时间：最高可达 55ns
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：44 引脚 SOJ (Small Outline J-leaded Package)
　　写保护功能：硬件 WP 引脚和软件写保护
　　存储耐久性：SRAM 无限次读写，非易失性写入寿命为 100 万次
　　数据保持时间：非易失性数据保存长达 20 年
　　自定时存储操作：支持自动存储（Auto Store）和软件启动存储（Software Store）
　　上电/掉电管理：内置上电清除电路（Power-on Reset）和掉电检测电路（Power-fail Detection）
　　数据恢复方式：上电自动恢复（Auto Recall）

X252032MOD4SC 的最大特性之一是其无缝集成的非易失性存储功能，使得传统 SRAM 在断电后依然能够保留数据。这种能力通过将高速 SRAM 与 EEPROM 单元结合实现，利用电容或外部引脚触发，在电源异常下降时自动将 SRAM 数据复制到非易失性区域。这一过程无需微处理器干预，响应速度快且高度可靠。
　　该芯片支持两种存储模式：自动存储（Auto Store）和软件启动存储（Software Initiated Store）。自动存储功能依赖于内部电压监控电路，当检测到供电电压低于设定阈值时，立即启动数据保存流程；而软件启动存储则允许系统在正常运行期间主动调用指令将当前数据写入非易失区，提供更高的控制灵活性。
　　另一个重要特性是其卓越的读写性能。由于主存储体为标准 CMOS SRAM，因此具备极快的访问速度（典型值 55ns），远高于传统的 EEPROM 或 Flash 存储器，适合用于频繁更新的关键数据缓存场景，如配置参数、日志记录或实时状态信息。
　　此外，X252032MOD4SC 集成了多重数据保护机制。除了硬件写保护引脚可防止非法写入外，还支持软件级写锁定，进一步增强安全性。即使在恶劣的电磁环境下，其设计也能有效抵御噪声干扰，保障数据完整性。
　　该器件还具备上电自动恢复功能（Auto Recall），即每次上电时自动将上次保存的非易失性数据加载回 SRAM，使系统能迅速进入工作状态，无需额外初始化步骤，极大提升了系统启动效率和可用性。

X252032MOD4SC 被广泛应用于对数据完整性和系统可靠性要求极高的领域。在工业自动化控制系统中，常用于保存 PLC 的运行参数、设备校准数据或故障日志，确保即使突发断电也不会丢失关键信息。
　　在通信基础设施设备（如路由器、交换机、基站控制器）中，该芯片可用于存储配置设置、MAC 地址、网络状态等，保证设备重启后能快速恢复原有配置，减少服务中断时间。
　　医疗电子设备，例如监护仪、影像系统和便携式诊断装置，也大量采用此类 nvSRAM 来记录患者数据、操作日志和设备校准值，满足医疗行业对数据安全和合规性的严格要求。
　　航空航天与国防系统中，X252032MOD4SC 因其宽温特性和高抗扰度，被用于飞行控制模块、雷达系统和战术通信终端中的临时数据存储，确保极端环境下数据不丢失。
　　此外，在测试与测量仪器、POS 终端、智能电表以及高端嵌入式控制器中，该芯片同样发挥着重要作用，作为高速缓存与永久存储之间的桥梁，平衡性能与数据持久性需求。

X252032MIG4SC