PMXB65UPEZ 是一款由东芝(Toshiba)生产的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)器件,主要用于高效率功率转换和开关应用。该器件采用先进的功率封装技术,具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力,适合用于诸如电源管理、电机控制以及工业自动化等场景。PMXB65UPEZ 的设计优化了开关损耗和导通损耗,使其在高频开关应用中表现出色。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds):650V
最大栅源电压(Vgs):±20V
最大连续漏极电流(Id):180A
导通电阻(Rds(on)):最大值为2.45mΩ(典型值可能更低)
功率耗散(Pd):300W
工作温度范围:-55°C至150°C
封装类型:TO-247
PMXB65UPEZ 具有出色的导通和开关性能,这得益于其低导通电阻和快速开关特性。其2.45mΩ的Rds(on)值可显著降低导通状态下的功率损耗,从而提高整体系统效率。此外,该器件的高电流承载能力(180A)使其适用于高功率应用,如工业电源、电机驱动和逆变器系统。PMXB65UPEZ 的TO-247封装不仅提供了良好的散热性能,还简化了PCB布局设计,使其更易于集成到各种功率电路中。
该MOSFET还具备良好的热稳定性和抗过载能力,确保在高温环境下仍能稳定运行。其栅极驱动特性优化,降低了开关损耗,从而减少发热并提高系统的可靠性。此外,PMXB65UPEZ 的结构设计有助于减少寄生电感,提高高频开关应用中的性能表现,使其适用于现代高效能电力电子设备。
另外,PMXB65UPEZ 还具有较强的短路耐受能力,能够在极端工况下提供一定的保护作用,延长器件的使用寿命。这种特性对于工业自动化、UPS(不间断电源)和新能源系统(如光伏逆变器)等应用尤为重要。
PMXB65UPEZ 适用于多种高功率电子系统,包括但不限于工业电源、电机驱动器、逆变器、不间断电源(UPS)、LED照明系统、电焊设备以及新能源应用(如太阳能逆变器)。其高耐压(650V)和大电流能力(180A)使其成为需要高效率和高可靠性的功率转换系统的理想选择。此外,该器件也广泛用于电动汽车充电系统、储能系统以及各种工业自动化设备中的功率管理模块。
TK220A60W,SCT3040KL,TK250E60D