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PMXB65UPEZ 发布时间 时间:2025/9/14 22:57:47 查看 阅读:12

PMXB65UPEZ 是一款由东芝(Toshiba)生产的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)器件,主要用于高效率功率转换和开关应用。该器件采用先进的功率封装技术,具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力,适合用于诸如电源管理、电机控制以及工业自动化等场景。PMXB65UPEZ 的设计优化了开关损耗和导通损耗,使其在高频开关应用中表现出色。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(Vds):650V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  最大连续漏极电流(Id):180A
  导通电阻(Rds(on)):最大值为2.45mΩ(典型值可能更低)
  功率耗散(Pd):300W
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装类型:TO-247

特性

PMXB65UPEZ 具有出色的导通和开关性能,这得益于其低导通电阻和快速开关特性。其2.45mΩ的Rds(on)值可显著降低导通状态下的功率损耗,从而提高整体系统效率。此外,该器件的高电流承载能力(180A)使其适用于高功率应用,如工业电源、电机驱动和逆变器系统。PMXB65UPEZ 的TO-247封装不仅提供了良好的散热性能,还简化了PCB布局设计,使其更易于集成到各种功率电路中。
  该MOSFET还具备良好的热稳定性和抗过载能力,确保在高温环境下仍能稳定运行。其栅极驱动特性优化,降低了开关损耗,从而减少发热并提高系统的可靠性。此外,PMXB65UPEZ 的结构设计有助于减少寄生电感,提高高频开关应用中的性能表现,使其适用于现代高效能电力电子设备。
  另外,PMXB65UPEZ 还具有较强的短路耐受能力,能够在极端工况下提供一定的保护作用,延长器件的使用寿命。这种特性对于工业自动化、UPS(不间断电源)和新能源系统(如光伏逆变器)等应用尤为重要。

应用

PMXB65UPEZ 适用于多种高功率电子系统,包括但不限于工业电源、电机驱动器、逆变器、不间断电源(UPS)、LED照明系统、电焊设备以及新能源应用(如太阳能逆变器)。其高耐压(650V)和大电流能力(180A)使其成为需要高效率和高可靠性的功率转换系统的理想选择。此外,该器件也广泛用于电动汽车充电系统、储能系统以及各种工业自动化设备中的功率管理模块。

替代型号

TK220A60W,SCT3040KL,TK250E60D

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PMXB65UPEZ参数

  • 现有数量83,654现货
  • 价格1 : ¥3.74000剪切带(CT)5,000 : ¥0.63106卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)12 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)3.2A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)1.2V,4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)72 毫欧 @ 3.2A,4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)12 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)±8V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)634 pF @ 6 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)317mW(Ta),8.33W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装DFN1010D-3
  • 封装/外壳3-XDFN 裸露焊盘