晶体管类型：NPN 双极型晶体管（双管阵列）
　　集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　集电极电流（IC）：100mA
　　功耗（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　增益带宽积（fT）：100MHz
　　电流增益（hFE）：110-800（根据等级不同）
　　封装类型：SOT-23-6

DEI11502TR 具备一系列优异的电气和物理特性，使其在多种电子电路中表现出色。
　　首先，该器件采用SOT-23-6封装，体积小巧，适合高密度PCB布局设计，尤其适用于便携式电子设备和小型控制系统。其封装材料符合RoHS标准，具备良好的环保性能。
　　其次，DEI11502TR 内部集成两个独立的NPN晶体管，每个晶体管均可独立使用，提供了更高的设计灵活性。这种双管结构可以用于构建差分放大器、推挽式输出级或并联使用以提高输出电流能力。
　　在电气性能方面，DEI11502TR 的集电极-发射极电压（VCEO）为50V，集电极电流（IC）最大可达100mA，适用于中等功率的放大和开关应用。其电流增益（hFE）范围为110至800，具有良好的线性度和低噪声特性，适合用于音频放大和信号处理电路。
　　此外，DEI11502TR 的增益带宽积（fT）高达100MHz，表明其在高频应用中也能保持良好的放大性能，适用于射频前端电路、数字开关和高速逻辑接口。
　　最后，该器件具有宽广的工作温度范围（-55°C 至 150°C），适用于严苛环境条件下的工业级应用，如工业控制、自动化系统和车载电子设备。

DEI11502TR 适用于多种电子电路设计，主要包括以下几个方面：
　　1. **信号放大电路**：由于其低噪声和高增益特性，DEI11502TR 常用于音频放大器、传感器信号调理电路以及射频前端放大器。
　　2. **开关电路**：该器件的快速响应能力和较高的电流承载能力，使其在数字电路、继电器驱动、LED驱动和电机控制中广泛应用。
　　3. **逻辑电路**：在TTL或CMOS兼容接口电路中，DEI11502TR 可用于构建电平转换器、缓冲器和逻辑门电路。
　　4. **工业控制与自动化**：由于其宽工作温度范围和高可靠性，DEI11502TR 被广泛应用于PLC、变频器、工业传感器和控制模块中。
　　5. **通信设备**：在无线通信模块、调制解调器和网络设备中，DEI11502TR 可用于信号放大、滤波和转换电路。

BC847BDSX、MMDT2222A、2N3904、PN2222A