晶体管类型：NPN 双极型晶体管
　　最大集电极电流（Ic）：25 mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30 V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30 V
　　最大功耗（Ptot）：200 mW
　　过渡频率（fT）：100 MHz（典型值）
　　电流增益（hFE）：110 至 800（根据等级不同）
　　工作温度范围：-65°C 至 +200°C
　　封装类型：TO-72

2N4160 具备优异的高频性能和低噪声系数，这使其成为射频和中频放大器的理想选择。
　　它在低电压条件下也能稳定工作，适用于多种低功耗电子设备。
　　该晶体管的电流增益范围宽广（hFE 为 110 至 800），根据不同的等级划分，可以满足不同电路设计的需求。
　　此外，2N4160 拥有较高的最大工作频率（fT 达到 100 MHz），适用于需要良好频率响应的应用场景。
　　由于其封装形式为金属 TO-72，具有良好的热稳定性和机械强度，适用于较为严苛的工作环境。
　　该器件的低功耗特性（最大功耗为 200 mW）也使其适用于便携式电子设备和电池供电系统。

2N4160 主要应用于射频信号放大、中频放大器、低噪声前置放大器、音频放大电路以及通用开关电路。
　　其高频特性使其广泛用于无线通信设备中的信号处理部分，如收音机、电视机、无线接收模块等。
　　同时，由于其低噪声表现良好，也常用于高灵敏度传感器信号放大电路。
　　在工业控制和消费电子中，2N4160 可用于构建小型放大器或驱动低功率负载。
　　此外，该晶体管还适用于测试设备、测量仪器和教育实验平台中的电子电路设计。

2N4161, BC107, BC108, BF199, 2N3904