您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > 2SK902

2SK902 发布时间 时间:2025/8/9 20:10:58 查看 阅读:28

2SK902是一款由东芝(Toshiba)生产的N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、马达控制以及功率开关电路中。该器件采用高密度沟槽式技术,具有低导通电阻、高耐压和大电流承载能力,适用于中高功率电子系统。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流(ID):2A
  漏源击穿电压(VDS):450V
  栅源击穿电压(VGS):±30V
  导通电阻(RDS(on)):最大值2.5Ω(在VGS=10V时)
  最大功耗(PD):25W
  工作温度范围:-55℃~+150℃
  封装形式:TO-92(部分型号也可能采用其他封装)

特性

2SK902具有多项优异的电气和物理特性,首先,其高耐压能力(450V)使其适用于高电压应用,如开关电源、马达驱动器和照明设备。其次,低导通电阻(RDS(on))有助于减少导通损耗,提高系统效率,同时降低工作温度,提升整体稳定性。此外,该MOSFET具备良好的热稳定性和过载能力,能够在较苛刻的工作条件下保持可靠运行。器件的封装形式紧凑,便于安装在空间受限的电路板上,同时也支持较高的组装密度。该器件还具有快速开关特性,适合用于高频开关电路,从而减少外围元件的体积和成本。2SK902的栅极驱动电压范围较宽,在10V至20V之间均可正常工作,增加了设计灵活性。
  在可靠性方面,2SK902通过了多项工业标准测试,确保其在长时间运行和极端温度条件下仍能保持性能。其内部结构采用先进的沟槽式技术,进一步优化了电流传导路径,从而提高整体的电流承载能力和响应速度。此外,该器件具有较低的栅极电荷(Qg),这有助于减少开关损耗并提升动态性能,特别是在高频工作状态下表现尤为出色。2SK902还具备良好的抗静电能力(ESD),增强了在复杂电磁环境中工作的安全性。

应用

2SK902适用于多种功率电子系统,广泛用于开关电源(SMPS)中的高压侧开关,以实现高效能的电能转换。此外,它也常用于DC-DC转换器、LED驱动电路、马达控制模块以及工业自动化设备中的功率开关控制。在消费类电子产品中,如充电器、适配器和小型电源模块中,2SK902也扮演着关键角色。由于其高耐压特性,该器件也常见于荧光灯、LED照明和节能灯的驱动电路中。在工业控制领域,2SK902可用于继电器替代电路、电源管理模块以及传感器信号开关等应用。此外,该MOSFET还可用于逆变器、UPS(不间断电源)和小型逆变设备中,实现稳定的功率输出控制。

替代型号

2SK1058, 2SK2465, 2SK2645

2SK902推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

2SK902资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载