型号：IRFH5301PBF
　　类型：N沟道MOSFET
　　封装：TSDSON-8 (SuperSO-8)
　　通道数：单通道
　　漏源电压(VDSS)：40V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：23A @ 10V VGS, 7.5A @ 4.5V VGS
　　脉冲漏极电流(IDM)：92A
　　导通电阻(RDS(on))：10.8mΩ @ VGS = 10V, 16mΩ @ VGS = 4.5V, 20mΩ @ VGS = 2.5V
　　阈值电压(Vth)：1.0V ~ 2.0V
　　输入电容(Ciss)：1070pF @ VDS = 20V
　　输出电容(Coss)：500pF @ VDS = 20V
　　反向恢复时间(trr)：18ns
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　安装类型：表面贴装(SMD)
　　符合RoHS标准：是

IRFH5301PBF采用英飞凌先进的沟槽栅极技术，显著降低了导通电阻与开关损耗之间的权衡，实现了卓越的性能平衡。其核心优势之一在于极低的RDS(on)，在VGS = 10V时仅为10.8mΩ，这使得器件在大电流应用中能够有效减少I2R损耗，提升系统能效。这一特性特别适用于电池供电设备，如智能手机、平板电脑和便携式医疗仪器，其中能量利用率至关重要。此外，低RDS(on)还减少了对额外散热措施的需求，有助于缩小整体PCB尺寸并简化热管理设计。
　　该器件具备出色的动态性能，包括低栅极电荷（Qg）和低米勒电荷（Qgd），使其在高频开关操作中表现优异。低Qg意味着驱动电路所需功耗更低，适合使用低驱动能力的控制器或逻辑电平信号直接驱动；而低Qgd则有助于减少开关过程中的直通电流风险，提升开关速度和系统稳定性。这些特性使其广泛应用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关等拓扑结构中。
　　IRFH5301PBF的TSDSON-8封装不仅体积小巧（典型尺寸约为3mm x 3mm），还集成了增强型散热焊盘，可通过PCB上的热过孔将热量高效传导至内层或底部，从而显著改善热阻性能。这种封装形式在空间受限的设计中极具优势，同时保持良好的热可靠性。此外，该器件具有较高的雪崩能量承受能力，表现出良好的鲁棒性，能够在瞬态过压或感性负载切换等恶劣工况下安全运行。
　　其宽泛的工作温度范围（-55°C至+150°C）确保了在极端环境下的稳定工作能力，适用于工业控制、汽车电子辅助系统等对可靠性要求较高的领域。器件还具备良好的抗闩锁能力和ESD防护性能，进一步提升了系统级可靠性。总体而言，IRFH5301PBF是一款集高性能、小尺寸与高可靠性于一体的现代功率MOSFET，适用于多种中低压功率转换场景。

IRFH5301PBF广泛应用于需要高效能、小尺寸和高可靠性的电源管理系统中。常见用途包括便携式消费类电子产品中的电源开关与电池管理模块，例如智能手机和平板电脑中的背光驱动、USB电源开关以及电池充放电控制电路。在这些应用中，其低导通电阻可最大限度减少电压降和发热，延长电池续航时间。
　　该器件也常用于同步降压转换器和DC-DC buck变换器中作为高边或低边开关，凭借其快速开关特性和低栅极驱动需求，能够显著提高转换效率，尤其是在轻载和中等负载条件下表现突出。此外，在电机驱动电路中，IRFH5301PBF可用于H桥结构中的低端驱动，提供高效的电流控制能力。
　　在服务器、路由器和其他通信设备的板级电源管理中，该MOSFET被用作OR-ing二极管、热插拔控制器或冗余电源切换开关，利用其低正向压降替代传统肖特基二极管，实现“理想二极管”功能，从而减少功耗并提高系统可用性。
　　其他应用场景还包括LED照明驱动、笔记本电脑适配器次级侧同步整流、便携式医疗设备电源模块以及工业传感器供电单元。由于其符合AEC-Q101的部分应力测试标准，也可用于非主驱类汽车电子系统，如车载信息娱乐系统、车身控制模块和车灯调光电路等。

IRLH5301PBF
　　IRLS5301PBF
　　SI2301DS-T1-E3
　　AO3400