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WS12P4N2U 发布时间 时间:2025/6/26 18:32:17 查看 阅读:3

WS12P4N2U是一款基于CMOS工艺的低导通电阻SPDT(单刀双掷)模拟开关,适用于需要高信号完整性和低插入损耗的应用场景。该芯片支持宽电压范围操作,能够在较低功耗下实现高效的信号切换。其小型化的封装设计使其非常适合于对空间要求较高的便携式设备和消费类电子产品。
  WS12P4N2U具有优良的电气特性和可靠性,能够承受较高的浪涌电流,并且在各种工作条件下保持稳定的性能表现。

参数

供电电压:1.6V~5.5V
  导通电阻:0.9Ω(典型值,在VDD=5V时)
  带宽:380MHz(-3dB时)
  工作温度范围:-40℃至+85℃
  封装形式:WLCSP-6, TSOT-23-6
  输入电容:2.5pF(典型值)
  切换时间:3ns(典型值)

特性

WS12P4N2U具有超低导通电阻的特点,这有助于减少功率损耗并提升系统效率。此外,其高带宽设计使得它能够处理高频信号,非常适合用于音频、视频以及其他高速数据传输应用。
  芯片内部集成了ESD保护电路,提高了整体的抗静电能力,增强了产品的鲁棒性。同时,其低电荷注入特性确保了在开关切换过程中不会对敏感信号造成干扰。
  另外,这款开关支持双向信号流动,简化了电路设计流程并减少了外围元件的需求。

应用

WS12P4N2U广泛应用于各类消费电子设备中,例如智能手机、平板电脑以及数码相机等。它可用于音频路径选择、天线切换、传感器信号路由等多种场合。
  在通信领域,该芯片可以作为射频前端模块中的关键组件,实现不同射频链路之间的快速切换。
  此外,由于其出色的电气性能,也常被用作测试测量仪器中的信号通道控制单元。

替代型号

TS5A21322、ADG619、SN74CBT3157

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