型号：B8837
　　制造商：Infineon Technologies
　　产品类型：N-Channel MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30 V
　　栅源电压（VGS）：±20 V
　　连续漏极电流（ID）：90 A（@ Tc=25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：300 A
　　导通电阻 RDS(on)：2.3 mΩ（@ VGS=10 V）
　　导通电阻 RDS(on)：3.0 mΩ（@ VGS=4.5 V）
　　阈值电压（VGS(th)）：1.4 V ~ 2.2 V
　　输入电容（Ciss）：4500 pF（@ VDS=15 V）
　　输出电容（Coss）：1400 pF（@ VDS=15 V）
　　反向恢复时间（trr）：28 ns
　　最大功耗（Ptot）：100 W
　　工作结温范围：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：PG-HSOF-8-1（Power HSOF-8）

B8837采用了英飞凌先进的TrenchSTOP? F7系列技术，这种技术基于深沟槽结构设计，显著提升了器件的电流密度与导通性能。其核心优势在于极低的导通电阻RDS(on)，在VGS=10V时仅为2.3mΩ，在同类30V N沟道MOSFET中处于领先水平，这意味着在大电流应用中能够大幅降低导通损耗，提高系统整体效率。同时，该器件在低栅压（如4.5V）下仍能保持较低的RDS(on)（3.0mΩ），使其兼容3.3V逻辑控制信号，适用于由微控制器或驱动IC直接驱动的场景。
　　另一个关键特性是其出色的开关性能。得益于优化的栅极结构和低栅电荷（Qg）设计，B8837在高频开关应用中表现出色，减少了开关过程中的能量损耗，从而支持更高频率的PWM操作，有利于减小外围滤波元件的体积，实现电源系统的微型化。此外，其反向恢复时间trr仅为28ns，体二极管具有较快的恢复速度，有效抑制了开关节点的电压振荡和EMI噪声，提高了系统的电磁兼容性。
　　B8837还具备良好的热性能和可靠性。其Power HSOF-8封装采用底部裸露焊盘设计，可直接连接到PCB的散热区域，实现高效的热传导，确保在高功率密度条件下长时间稳定运行。器件的工作结温高达+175°C，并支持瞬态过载工况，具备较强的抗雪崩能力，满足严苛工业环境下的可靠性要求。所有这些特性共同使B8837成为高性能DC-DC转换器、同步整流模块、电动工具电池包保护电路以及车载电子系统中的理想选择。

B8837广泛应用于多种需要高效、高电流开关能力的电力电子系统中。典型应用包括但不限于：同步降压变换器（Buck Converter），特别是在多相VRM（电压调节模块）中作为下管或上管使用，利用其低RDS(on)和快速开关特性实现高效率的能量转换；DC-DC电源模块，用于服务器、通信设备和工业控制系统中的中间总线转换器（IBC）或POL（Point-of-Load）稳压器；电机驱动电路，例如无人机电调、电动工具和小型机器人中，作为H桥或半桥拓扑中的开关元件，提供快速响应和低功耗控制。
　　此外，B8837也常用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关，因其高电流承载能力和低导通压降，有助于延长电池续航并减少发热问题。在LED照明驱动电源中，该器件可用于恒流源的开关调节部分，提升光效稳定性。车载电子设备如车载充电器（OBC）、辅助电源单元（APU）以及48V轻混系统中也能见到B8837的身影，得益于其宽温度范围和高可靠性，适应汽车级应用的严酷环境。另外，由于其封装小巧且散热良好，B8837非常适合于空间受限但功率需求较高的便携式设备和嵌入式系统中，如高端笔记本电脑电源管理、移动储能电源等。总之，凡是需要在30V耐压范围内实现高效率、高频率、大电流开关控制的场合，B8837都是一个极具竞争力的解决方案。

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　　AOZ5238NQI-02