TFC-120-01-F-D-A-K 是一种高频薄膜电容器,广泛应用于射频和微波电路中。该型号采用金属化聚丙烯薄膜作为介质,具有低ESR(等效串联电阻)和低ESL(等效串联电感),能够在高频环境下保持优异的性能。
这种电容器通常用于滤波、耦合和去耦等应用场景,适用于通信设备、雷达系统以及高频功率放大器等领域。
额定电压:500V
电容量:120pF
容差:±5%
工作温度范围:-55℃ 至 +85℃
频率范围:DC 至 3GHz
ESR:≤1mΩ
ESL:≤0.5nH
TFC-120-01-F-D-A-K 具有以下特点:
1. 高频性能优越:由于其低ESR和ESL设计,该电容器在高频应用中表现出极低的插入损耗。
2. 稳定性高:采用金属化聚丙烯薄膜技术,使其具有良好的温度稳定性和时间稳定性。
3. 小型化设计:紧凑的封装形式适合空间受限的应用场景。
4. 耐高压能力:额定电压高达500V,能够承受较高的电压而不击穿。
5. 安全可靠:具备自愈功能,在发生局部击穿时能够自动修复,延长使用寿命。
6. 环保材料:符合RoHS标准,不含有害物质。
该型号电容器主要应用于以下领域:
1. 无线通信系统中的滤波和匹配网络。
2. 微波和射频功率放大器的耦合与去耦。
3. 雷达系统的信号处理电路。
4. 高频开关电源中的噪声抑制。
5. 医疗成像设备中的高频电路。
TFC-120-01-F-D-A-K 的高频特性和稳定性使其成为这些领域的理想选择。
TFC-120-02-F-D-A-K, TFC-120-01-G-D-A-K