WS12D3HP是一款高性能的双通道功率MOSFET,采用TO-263封装形式。这款元器件广泛应用于开关电源、电机驱动和负载开关等应用中。其主要特点是低导通电阻、高击穿电压和快速开关性能,可以有效降低功耗并提高系统效率。
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:35A
导通电阻:7mΩ
总栅极电荷:45nC
输入电容:1250pF
输出电容:400pF
反向传输电容:15pF
工作温度范围:-55℃至150℃
WS12D3HP采用了先进的制造工艺,具有非常低的导通电阻,从而减少了导通损耗。
该器件具备出色的热稳定性和快速的开关速度,能够在高频条件下高效运行。
同时,它的高击穿电压确保了在各种复杂电路环境中的可靠性。
此外,TO-263封装形式使其具备良好的散热性能,非常适合功率密集型应用。
WS12D3HP适用于多种电子设备和工业场景,包括但不限于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS)设计中的功率开关元件。
2. 电机驱动电路中的功率级控制。
3. 各类负载开关和保护电路。
4. 电池管理系统(BMS)中的功率路径管理。
5. 工业自动化设备中的功率转换模块。
IRFZ44N
STP36NF06
FDP5800