时间：2025/9/14 13:55:42
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NZH6V8B,115 是一款由 Nexperia（安世半导体）制造的双极性晶体管（BJT），属于 NPN 型晶体管。该器件适用于多种通用和高频率应用，具备良好的开关性能和稳定性。其封装形式为 SOT23（Small Outline Transistor），适合在空间受限的 PCB 设计中使用。该晶体管具有良好的热稳定性和可靠性，适用于工业控制、电源管理和消费类电子产品。
类型：NPN 型晶体管
封装类型：SOT23
最大集电极电流（Ic）：100 mA
最大集电极-发射极电压（Vce）：80 V
最大集电极-基极电压（Vcb）：80 V
最大功耗（Ptot）：300 mW
增益（hFE）：110 - 800（取决于测试条件）
频率（fT）：100 MHz
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
NZH6V8B,115 是一款高性能 NPN 型晶体管，具有良好的高频响应和稳定的电气性能。该晶体管的 hFE（电流增益）范围较宽，从 110 到 800，可以根据不同的应用需求选择合适的工作点。其最大集电极电流为 100 mA，适合用于低功率开关和信号放大电路。
该晶体管的最大 Vce 和 Vcb 均为 80 V，具备较高的电压承受能力，适用于中高压电路中的开关控制。此外，其 fT（过渡频率）达到 100 MHz，意味着在高频放大和射频应用中也能保持良好的性能表现。
NZH6V8B,115 的封装为 SOT23，这是一种小型化表面贴装封装，适用于自动化贴片工艺，节省 PCB 空间。同时，该封装具备良好的散热性能，能够在较高温度环境下稳定工作。该晶体管的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适用于工业级和消费类电子产品。
此外，该晶体管具有较低的饱和压降（Vce_sat），有助于提高能效并减少发热。在设计中，该特性对于电池供电设备尤为重要，可以延长电池寿命并提高整体系统效率。
NZH6V8B,115 主要应用于低功率开关电路、信号放大电路、逻辑电平转换、LED 驱动、继电器控制、传感器接口以及各种消费类电子产品中的通用晶体管需求。此外，由于其高频特性，也可用于射频前端电路和数据通信设备中的信号处理。该晶体管适用于需要中等电压和电流能力的工业控制和自动化系统，如电机驱动、电源管理和传感器信号调理。
BC847 NPN, 2N3904, PN2222A, MMBT3904
