QMV417FH5 时间：2025/8/12 22:38:46 阅读：15

QMV417FH5是一款由Qorvo公司推出的高性能射频功率晶体管，专为高功率射频放大应用设计。该晶体管采用了先进的LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）技术，能够在高频段提供卓越的性能表现。QMV417FH5主要用于无线基础设施、基站放大器、广播设备以及工业和科学射频系统等领域，适用于需要高输出功率、高效率和高稳定性的应用场景。这款晶体管封装在一个高热导性、低热阻的陶瓷封装中，具备良好的散热性能，能够在高温环境下稳定工作。

参数

类型：LDMOS RF功率晶体管
　　频率范围：1.8 MHz至600 MHz
　　输出功率：170 W
　　增益：约20 dB
　　效率：约65%
　　工作电压：50 V
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：陶瓷金属封装（CMF）
　　输入阻抗：50 Ω
　　输出阻抗：50 Ω

特性

QMV417FH5在多个方面展现出卓越的性能。首先，其宽广的频率覆盖范围（1.8 MHz至600 MHz）使其适用于多种射频应用，包括广播、通信和工业设备等。其次，该晶体管具备高输出功率能力（170 W），能够在高负载条件下提供稳定的功率输出。此外，QMV417FH5具有高增益（约20 dB）和高效率（约65%），能够显著减少信号链中的级数，提高整体系统效率并降低功耗。
　　该晶体管采用先进的LDMOS技术，提供优异的线性度和稳定性，适合用于高要求的无线通信系统。同时，其陶瓷金属封装设计不仅具有优异的散热性能，还具备良好的机械强度和可靠性，能够在恶劣环境下长时间稳定运行。此外，QMV417FH5内置热保护功能，能够在温度过高时自动限制输出功率，防止器件损坏，从而提高系统的可靠性和寿命。
　　QMV417FH5的输入和输出阻抗均为50 Ω，便于与常见的射频系统进行匹配，减少了外部匹配电路的复杂度。其工作电压为50 V，支持在高电压条件下稳定运行，适用于各种高功率放大器设计。

应用

QMV417FH5广泛应用于无线基础设施设备，如蜂窝基站、广播发射机、工业射频加热设备以及测试和测量仪器。其高功率输出和宽频率范围使其成为AM/FM广播发射机、短波通信系统、雷达模拟器和高功率射频信号发生器等设备的理想选择。此外，QMV417FH5也适用于需要高线性度和高稳定性的现代无线通信系统，包括4G/5G基站和分布式天线系统（DAS）。