时间：2025/4/25 9:22:29
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BTS4140N是一种由英飞凌（Infineon）生产的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-263-3封装形式。该器件具有低导通电阻和高效率的特点，适合用于各种开关电源、电机驱动以及负载开关等应用中。其额定电压为40V，能够承受较大的电流，并且具备快速的开关速度和较低的开关损耗。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：47A
导通电阻：1.8mΩ
栅极电荷：58nC
总电容：1030pF
工作温度范围：-55℃至175℃
采用了先进的工艺技术制造，确保了低导通电阻和高效率的表现。
1. 低导通电阻：仅为1.8mΩ，这使得在大电流应用中可以减少功率损耗。
2. 高电流处理能力：连续漏极电流高达47A，适合高功率应用场景。
3. 快速开关性能：较小的栅极电荷（58nC）保证了快速的开关速度，从而降低开关损耗。
4. 耐热性优异：工作温度范围从-55℃到175℃，适用于极端环境下的应用。
5. 封装紧凑：TO-263-3封装提供了良好的散热性能和易于安装的设计。
广泛应用于需要高效功率转换和高电流承载能力的场景，包括但不限于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）：
- DC-DC转换器
- AC-DC适配器
2. 电机驱动：
- 无刷直流电机（BLDC）控制
- 步进电机驱动
3. 汽车电子：
- 电池管理系统（BMS）
- 发动机控制单元（ECU）
4. 工业自动化：
- 可编程逻辑控制器（PLC）
- 工业电源模块
5. 消费类电子产品：
- 笔记本电脑充电器
- LED驱动电路
BTS4136N
BTS4146N
