WPE0513HP6是一款高效能的功率MOSFET器件,主要应用于电源管理、开关电源、电机驱动以及DC-DC转换器等场景。该器件采用了先进的制造工艺,在低导通电阻和高开关速度之间实现了良好的平衡,能够显著降低系统能耗并提升效率。
该芯片具有出色的热性能和电气特性,能够在高温环境下稳定工作,同时支持高频开关操作,非常适合对效率和可靠性要求较高的应用场合。
型号:WPE0513HP6
类型:N沟道增强型MOSFET
Vds(漏源电压):60V
Rds(on)(导通电阻):4.5mΩ(典型值,Vgs=10V)
Id(持续漏极电流):90A
Qg(栅极电荷):25nC
EAS(雪崩能量):8J
f(工作频率):高达500kHz
封装形式:TO-247
WPE0513HP6具备以下显著特点:
1. 极低的导通电阻Rds(on),有效减少传导损耗。
2. 高额定电流能力,可满足大功率应用需求。
3. 快速开关速度和低栅极电荷,有助于提高工作效率并降低开关损耗。
4. 出色的热稳定性,能够在高温条件下保持稳定的性能。
5. 支持高频操作,适合现代高效电源转换设计。
6. 提供全面的保护功能,包括过流保护和短路保护,增强了系统的可靠性。
WPE0513HP6广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关管。
2. DC-DC转换器的核心功率器件。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 电池管理系统(BMS)中的充放电控制。
5. 工业自动化设备中的功率转换模块。
6. LED照明驱动电路中的高效功率调节组件。
WPE0513HP5, IRF540N, FDP17N60