时间：2025/6/6 14:38:28
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WPE0513HP6是一款高效能的功率MOSFET器件，主要应用于电源管理、开关电源、电机驱动以及DC-DC转换器等场景。该器件采用了先进的制造工艺，在低导通电阻和高开关速度之间实现了良好的平衡，能够显著降低系统能耗并提升效率。
该芯片具有出色的热性能和电气特性，能够在高温环境下稳定工作，同时支持高频开关操作，非常适合对效率和可靠性要求较高的应用场合。
型号：WPE0513HP6
类型：N沟道增强型MOSFET
Vds（漏源电压）：60V
Rds(on)（导通电阻）：4.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
Id（持续漏极电流）：90A
Qg（栅极电荷）：25nC
EAS（雪崩能量）：8J
f（工作频率）：高达500kHz
封装形式：TO-247
WPE0513HP6具备以下显著特点：
1. 极低的导通电阻Rds(on)，有效减少传导损耗。
2. 高额定电流能力，可满足大功率应用需求。
3. 快速开关速度和低栅极电荷，有助于提高工作效率并降低开关损耗。
4. 出色的热稳定性，能够在高温条件下保持稳定的性能。
5. 支持高频操作，适合现代高效电源转换设计。
6. 提供全面的保护功能，包括过流保护和短路保护，增强了系统的可靠性。
WPE0513HP6广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关管。
2. DC-DC转换器的核心功率器件。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 电池管理系统(BMS)中的充放电控制。
5. 工业自动化设备中的功率转换模块。
6. LED照明驱动电路中的高效功率调节组件。
WPE0513HP5, IRF540N, FDP17N60
