H9TKNNN8JDMRHR-NGM 是由SK Hynix(海力士)生产的一款高密度、高性能的DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片采用先进的制造工艺,提供大容量存储和高速数据访问能力,广泛应用于高端计算机、服务器、工业设备及嵌入式系统中。该封装形式为BGA(球栅阵列封装),具有良好的电气性能和热管理能力。
类型:DRAM
容量:8GB
数据速率:2400Mbps / 2666Mbps / 3200Mbps(根据具体版本)
电压:1.2V
封装:BGA
工作温度:0°C 至 85°C / 工业级 -40°C 至 85°C(根据具体型号)
接口类型:JEDEC标准接口
组织结构:x16
时钟频率:1333MHz / 1600MHz / 1866MHz
封装尺寸:9mm x 13mm
制造工艺:先进制程技术
H9TKNNN8JDMRHR-NGM 是一款基于LPDDR4(低功耗双倍数据速率第四代)技术的DRAM芯片,具备高性能和低功耗特性,适用于高带宽应用场景。其主要特点包括:
1. 高数据速率:支持高达3200Mbps的数据传输速率,满足高性能计算和数据密集型任务的需求。
2. 低功耗设计:采用1.2V电源电压,显著降低功耗,适用于对能效要求严格的移动设备和嵌入式系统。
3. 高集成度:单颗芯片容量为8GB,减少PCB板空间占用,提高系统设计灵活性。
4. 稳定性与可靠性:支持宽温范围(0°C 至 85°C 或 -40°C 至 85°C),适用于工业级应用环境,具备良好的热管理和抗干扰能力。
5. JEDEC标准兼容:遵循JEDEC标准接口规范,确保与其他设备的兼容性和互换性。
6. 支持多种频率模式:包括1333MHz、1600MHz、1866MHz等,适应不同系统的性能需求。
H9TKNNN8JDMRHR-NGM 主要应用于以下领域:
1. 高性能计算设备:如高端台式机、工作站、服务器等,提供大容量内存支持,满足复杂计算任务的需要。
2. 移动终端设备:智能手机、平板电脑等移动设备,利用其低功耗特性延长电池续航时间。
3. 工业自动化系统:工业控制设备、嵌入式系统等,要求在宽温范围内稳定运行,具备较高的可靠性和耐久性。
4. 网络与通信设备:路由器、交换机、基站等通信设备,确保高速数据传输和稳定运行。
5. 汽车电子系统:车载信息娱乐系统、高级驾驶辅助系统(ADAS)等,对内存性能和稳定性有较高要求的应用场景。
H9TCNNN8GDMRHR-NGM, H9TPNNN8GDACUR-NGC, H9TQNNN8GDMRHR-NGM