时间：2025/9/2 7:55:35
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H9TKNNN8JDMRHR-NGM 是由SK Hynix（海力士）生产的一款高密度、高性能的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片采用先进的制造工艺，提供大容量存储和高速数据访问能力，广泛应用于高端计算机、服务器、工业设备及嵌入式系统中。该封装形式为BGA（球栅阵列封装），具有良好的电气性能和热管理能力。
类型：DRAM
容量：8GB
数据速率：2400Mbps / 2666Mbps / 3200Mbps（根据具体版本）
电压：1.2V
封装：BGA
工作温度：0°C 至 85°C / 工业级 -40°C 至 85°C（根据具体型号）
接口类型：JEDEC标准接口
组织结构：x16
时钟频率：1333MHz / 1600MHz / 1866MHz
封装尺寸：9mm x 13mm
制造工艺：先进制程技术
H9TKNNN8JDMRHR-NGM 是一款基于LPDDR4（低功耗双倍数据速率第四代）技术的DRAM芯片，具备高性能和低功耗特性，适用于高带宽应用场景。其主要特点包括：
1. 高数据速率：支持高达3200Mbps的数据传输速率，满足高性能计算和数据密集型任务的需求。
2. 低功耗设计：采用1.2V电源电压，显著降低功耗，适用于对能效要求严格的移动设备和嵌入式系统。
3. 高集成度：单颗芯片容量为8GB，减少PCB板空间占用，提高系统设计灵活性。
4. 稳定性与可靠性：支持宽温范围（0°C 至 85°C 或 -40°C 至 85°C），适用于工业级应用环境，具备良好的热管理和抗干扰能力。
5. JEDEC标准兼容：遵循JEDEC标准接口规范，确保与其他设备的兼容性和互换性。
6. 支持多种频率模式：包括1333MHz、1600MHz、1866MHz等，适应不同系统的性能需求。
H9TKNNN8JDMRHR-NGM 主要应用于以下领域：
1. 高性能计算设备：如高端台式机、工作站、服务器等，提供大容量内存支持，满足复杂计算任务的需要。
2. 移动终端设备：智能手机、平板电脑等移动设备，利用其低功耗特性延长电池续航时间。
3. 工业自动化系统：工业控制设备、嵌入式系统等，要求在宽温范围内稳定运行，具备较高的可靠性和耐久性。
4. 网络与通信设备：路由器、交换机、基站等通信设备，确保高速数据传输和稳定运行。
5. 汽车电子系统：车载信息娱乐系统、高级驾驶辅助系统（ADAS）等，对内存性能和稳定性有较高要求的应用场景。
H9TCNNN8GDMRHR-NGM, H9TPNNN8GDACUR-NGC, H9TQNNN8GDMRHR-NGM
