类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：60A（在Tc=25℃）
　　功耗（PD）：100W
　　工作温度范围：-55℃～+150℃
　　封装形式：TO-252（DPAK）

WSD3030DN MOSFET采用先进的沟槽式工艺制造，具有非常低的导通电阻（RDS(on)），通常在低电压条件下能够实现高效的电能传输。该特性使其非常适合用于高电流、低电压的应用场景，例如在电源转换器中作为开关元件，能够有效降低功率损耗并提高整体系统效率。此外，该器件具备较高的栅极绝缘能力，可承受高达±20V的栅源电压，从而增强了在复杂电磁环境中的稳定性。
　　该MOSFET的封装形式为TO-252（DPAK），这种封装不仅具有良好的散热性能，还便于在PCB上安装和焊接。TO-252封装适合表面贴装工艺，有助于提高生产效率并减少电路板空间占用。在热管理方面，WSD3030DN能够在高负载条件下保持良好的热稳定性，避免因温度升高而导致的性能下降或损坏。
　　此外，WSD3030DN还具备良好的短路耐受能力，在突发的过载或短路情况下能够提供一定的保护能力。这对于提高系统的可靠性和延长设备的使用寿命具有重要意义。由于其优异的电气特性和机械特性，WSD3030DN适用于多种工业和消费类电子产品，如电源适配器、电动车控制器、LED驱动电源等。

WSD3030DN MOSFET主要应用于需要高效能、高可靠性的功率电子系统中。例如，在DC-DC转换器中，该器件可用于升压或降压拓扑结构，实现高效的能量转换。在电机驱动电路中，它可以作为主开关器件，控制电机的启停和转速调节。此外，在电池管理系统中，WSD3030DN可用于充放电控制，确保电池的安全运行。
　　在电源适配器和开关电源中，该MOSFET可作为主功率开关，承担高频开关任务，以实现高效率的电能转换。在LED驱动电路中，它可用于调节电流输出，确保LED的稳定工作并延长使用寿命。此外，在负载开关应用中，WSD3030DN可以实现对负载的快速控制，避免因过载或短路导致的系统故障。
　　由于其优异的热性能和机械强度，WSD3030DN也广泛应用于电动车控制器、工业自动化设备、通信电源以及便携式电子设备中。无论是在高功率密度还是高可靠性要求的场合，该MOSFET都能提供出色的性能表现。

Si4410BDY-T1-GE3, IRF3710ZPBF, FDS6680