时间：2025/5/29 2:23:13
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MAZS0680ML 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路等领域。该器件采用了先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，能够显著提升系统的效率和稳定性。
其封装形式为 MLPQ-16L 封装，适合高密度组装环境，并且具备优异的热性能和电气特性。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：35A
导通电阻：2.5mΩ
栅极电荷：75nC
开关频率：高达 1MHz
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：MLPQ-16L
MAZS0680ML 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可有效降低功率损耗并提高系统效率。
2. 高速开关能力，适用于高频应用场合，例如 DC-DC 转换器和逆变器。
3. 强大的电流承载能力，确保在大负载条件下稳定运行。
4. 出色的热性能，使其能够在高温环境下长时间工作。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
6. 内置 ESD 保护功能，增强了器件的可靠性和抗干扰能力。
MAZS0680ML 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）设计，包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动控制，如无刷直流电机（BLDC）和步进电机。
3. 电池管理系统（BMS），用于电动汽车和储能设备。
4. 工业自动化设备中的功率转换模块。
5产品。
6. 各类需要高效功率开关的应用场景。
MAZS0680MD, IRF6680, AO6800
