型号：SSRF30N20-400
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vdss)：650V
　　连续漏极电流(Id)@25°C：30A
　　脉冲漏极电流(Idm)：120A
　　导通电阻(Rds(on))@Vgs=10V：0.19Ω
　　导通电阻(Rds(on))@Vgs=10V,最大值：0.23Ω
　　栅极阈值电压(Vgs(th))：3V ~ 4V
　　栅极电荷(Qg)@10V：105nC
　　输入电容(Ciss)：2200pF
　　输出电容(Coss)：180pF
　　反向恢复时间(trr)：45ns
　　最大工作结温(Tj)：150°C
　　封装类型：TO-247AD

SSRF30N20-400采用安森美独有的超级结（Super Junction）结构技术，这一技术通过在漂移区交替掺杂P型和N型柱状区域，显著降低了传统垂直MOSFET的导通电阻与击穿电压之间的折衷关系。这种结构使得器件在维持650V高耐压的同时，实现了极低的Rds(on)，有效减少导通损耗，提高整体系统效率。尤其在高频率开关电源应用中，低导通损耗意味着更少的发热，从而可减小散热器尺寸或提升功率密度。此外，该结构还优化了电场分布，增强了器件的雪崩能量承受能力，提高了在异常工况下的鲁棒性。
　　该MOSFET具有优异的开关特性，其栅极电荷（Qg）仅为105nC（典型值），这直接降低了驱动电路的能量消耗，并允许更高的开关频率运行，有助于缩小磁性元件和滤波电容的体积，进一步推动小型化设计。同时，较低的米勒电容（Crss）减少了开关过程中的寄生导通风险，提升了在硬开关拓扑如LLC谐振转换器、有源钳位反激（ACF）中的稳定性。器件的体二极管经过特别优化，具备较短的反向恢复时间（trr = 45ns）和较低的反向恢复电荷（Qrr），大幅降低了关断时的尖峰电压和电磁干扰（EMI），避免了因二极管反向恢复引起的额外损耗，这对于桥式电路和同步整流应用尤为重要。
　　在可靠性方面，SSRF30N20-400通过了严格的工业级认证，能够在-55°C至+150°C的结温范围内稳定工作，具备良好的热循环耐久性和长期稳定性。其TO-247封装提供优良的热阻特性（RthJC ≈ 0.5°C/W），便于将热量高效传递至散热器，确保长时间高负载运行下的安全性和寿命。此外，该器件符合RoHS环保标准，并具备较高的抗湿性和机械强度，适用于自动化贴片生产线。安森美还提供了详细的SPICE模型和热仿真数据，方便客户在设计阶段进行精确建模与验证。

SSRF30N20-400广泛应用于各类中高功率开关电源系统中，尤其是在需要高效率和高可靠性的场合。典型应用包括通信电源、服务器PSU、工业控制电源模块、光伏逆变器、UPS不间断电源以及电动车辆充电设备中的DC-DC变换器部分。由于其650V的额定电压，它非常适合用于通用输入电压范围（85VAC~265VAC）下的PFC（功率因数校正）升压级，特别是在连续导通模式（CCM）和临界导通模式（CrM）PFC电路中表现出色。在这些应用中，低Rds(on)和低Qg的组合使其能够以更高频率运行，同时保持低损耗，满足80 PLUS钛金等级等超高能效标准。
　　在LED照明驱动领域，尤其是大功率户外LED灯具和商业照明系统中，SSRF30N20-400可用于隔离式反激或半桥拓扑结构，提供稳定的恒流输出。其快速开关能力和良好的热性能有助于延长灯具寿命并提升光效。在电机驱动应用中，该器件可作为半桥或全桥配置中的主开关管，适用于中小功率的BLDC或PMSM电机控制器，特别是在家用电器如空调压缩机、洗衣机和风扇中得到广泛应用。
　　此外，该MOSFET也适用于高频LLC谐振转换器的一次侧开关，凭借其低电容和快速体二极管特性，有助于实现零电压开关（ZVS），从而极大降低开关损耗，提升转换效率。其坚固的结构设计也使其能在电网波动、雷击浪涌等恶劣电气环境下保持稳定运行，是工业级和户外设备的理想选择。

STF30N65DM2
　　FQP30N65S
　　IPB65R290CFD
　　TK20A65W5