时间：2025/5/21 20:35:45
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UE878NMEH是一款高性能的功率MOSFET器件，专为高效率开关电源和电机驱动应用设计。该芯片采用先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度的特点，能够显著降低系统功耗并提升整体性能。
该器件广泛应用于各种需要高效功率转换的场景，例如适配器、充电器、DC-DC转换器等。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源极电压(Vds)：80V
栅源极电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：16A
导通电阻(Rds(on))：4.5mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
总功耗(Ptot)：130W
结温范围(Tj)：-55℃至+175℃
UE878NMEH具备卓越的电气性能和可靠性，其主要特点如下：
1. 极低的导通电阻，减少导通损耗，提高系统效率。
2. 快速开关速度，降低开关损耗。
3. 高雪崩能量能力，增强在恶劣条件下的鲁棒性。
4. 紧凑型封装设计，节省PCB空间。
5. 符合RoHS标准，环保无铅材料。
6. 内置ESD保护功能，提升抗静电能力。
UE878NMEH适用于多种电力电子领域，包括但不限于以下应用：
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率开关。
2. DC-DC转换器的核心功率器件。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 充电器和适配器中的主功率管。
5. 各种工业控制设备中的功率管理模块。
IRF878PBF, FDP16N80C, STP16NF08
