存储容量：36Mb
　　组织结构：x16（36Mbit = 256K x 16位）
　　电源电压：3.3V或5V（根据具体版本）
　　访问时间：最大44ns（对应频率约22MHz）
　　封装类型：通常为TSOP或FBGA
　　工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）或商业级（0°C至70°C）
　　接口类型：并行接口
　　读写操作：支持异步读写操作

CXK79M36C162GB-44 SRAM芯片的主要特性包括其高速访问时间和大容量存储能力。该芯片采用先进的CMOS工艺制造，确保了低功耗和高可靠性。其异步设计使其适用于各种嵌入式系统和实时控制系统，无需依赖外部时钟信号即可进行读写操作。此外，该芯片支持并行接口，允许高速数据传输，适用于需要大量数据吞吐的应用场景。其工业级温度范围版本可在严苛环境下稳定运行，适合工业自动化、通信基础设施和网络设备的使用。另外，该芯片的封装形式（如TSOP或FBGA）提供了良好的散热性能和空间利用率，适用于紧凑型电子设备的设计。
　　在可靠性方面，CXK79M36C162GB-44采用了多项设计优化，如抗静电保护、电源电压稳定性增强和数据保持功能，以确保在复杂电磁环境和电源波动情况下的数据完整性。此外，该芯片的异步控制信号（如片选、写使能和输出使能）允许其与多种微处理器和控制器无缝集成，简化了系统设计和开发流程。

CXK79M36C162GB-44 SRAM芯片广泛应用于多个领域，包括通信设备（如路由器、交换机和基站）、工业控制系统（如PLC和自动化设备）、网络设备（如防火墙和存储设备）、测试和测量仪器以及高性能嵌入式系统。由于其高速访问能力和大容量存储，它也常用于图像处理、缓存存储和实时数据缓冲等应用。此外，该芯片还可用于航空航天和汽车电子系统，尤其是在需要高可靠性和宽温度范围操作的环境中。

CY7C199-15VC
　　IS61LV25616-10B4B