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2SD2537T100V 发布时间 时间:2025/5/9 9:25:38 查看 阅读:3

2SD2537T100V是一种NPN型双极性晶体管(Bipolar Junction Transistor,BJT),广泛应用于开关和放大电路中。该器件具有高增益、低饱和电压以及良好的热稳定性,适用于各种工业和消费类电子产品中的功率放大和开关功能。
  这款晶体管的耐压能力较强,额定集电极-发射极击穿电压可达100V,因此适合用于中等电压范围内的应用。同时,它还具备较高的电流处理能力,可满足多种电力电子设计需求。

参数

集电极-发射极击穿电压:100V
  最大集电极电流:5A
  直流电流增益(hFE):最小值40,典型值100
  最大功耗:60W
  工作温度范围:-55℃至+150℃
  封装形式:TO-220

特性

2SD2537T100V的主要特性包括:
  1. 高耐压能力:其100V的集电极-发射极击穿电压使其能够在较高电压环境下稳定运行。
  2. 大电流承载能力:最大集电极电流为5A,可以满足大功率设备的需求。
  3. 优异的热性能:支持的工作温度范围从-55℃到+150℃,适应恶劣环境下的使用。
  4. 高增益:直流电流增益hFE在一定条件下可以达到100左右,确保了信号放大的效率。
  5. 封装可靠:采用TO-220封装,散热性能良好且易于安装在印刷电路板上。

应用

该晶体管的应用领域十分广泛,主要包括:
  1. 功率放大器:用作音频功率放大器的核心元件,提供足够的驱动能力以推动扬声器。
  2. 开关电路:可用于继电器驱动、电机控制以及其他需要快速切换的场合。
  3. 脉宽调制(PWM)控制器:在电源管理和LED驱动中发挥重要作用。
  4. 工业自动化:如传感器接口、负载控制等场景下实现高效的信号传递与处理。
  5. 消费电子产品:例如电视机、音响系统等内部电路中作为关键组件。

替代型号

2SC5865, KSP154, MJ11015

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2SD2537T100V产品

2SD2537T100V参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)1.2A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)25V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)300mV @ 10mA,500mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)820 @ 500mA,5V
  • 功率 - 最大2W
  • 频率 - 转换200MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-243AA
  • 供应商设备封装MPT3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称2SD2537T100V-ND2SD2537T100VTR