类型：碳化硅肖特基二极管
　　最大重复反向电压（VRRM）：1200V
　　平均正向整流电流（IF(AV)）：3A
　　峰值非重复浪涌电流（IFSM）：40A
　　正向电压降（VF）：典型值1.65V @ 3A, 25°C
　　反向漏电流（IR）：典型值10μA @ 1200V, 25°C；最大500μA @ 1200V, 150°C
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +175°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +185°C
　　热阻（RθJC）：约20°C/W
　　封装形式：TO-220AC 或类似通孔封装
　　反向恢复时间（trr）：近似为0 ns（无反向恢复电荷）
　　容许功耗（PD）：约110W（需配合散热器）

WL03GT12N的核心特性源于其基于6H-SiC半导体材料的肖特基势垒结构，这一设计从根本上消除了少数载流子的存储效应，从而实现了近乎零的反向恢复电荷（Qrr ≈ 0）。这意味着在高频开关过程中不会产生由PN结引起的反向恢复电流尖峰，大幅减少了开关损耗和电磁干扰（EMI），提高了系统的转换效率并简化了滤波电路的设计。该器件具有非常低的正向导通压降，在额定电流3A条件下仅为1.65V左右，相较于传统硅质FRD（快恢复二极管）具有更优的导通性能，尤其在高温环境下仍能保持稳定的VF特性，避免了热失控风险。其反向漏电流虽然高于硅器件，但在1200V高压下仍控制在合理范围内，并随温度升高呈指数增长，因此在实际应用中需注意散热设计以维持长期可靠性。
　　另一个关键优势是WL03GT12N出色的高温耐受能力，允许最高结温达到175°C，远高于普通硅二极管的150°C限制，使其可在高温环境中持续运行而无需额外降额。这种高热稳定性得益于碳化硅材料本身更高的禁带宽度（~3.2eV）和热导率（约4.9 W/cm·K），能够有效传导内部热量，降低局部热点形成的风险。此外，该器件对外部电压应力（如dv/dt）具有较强抵抗力，不易因快速电压变化引发误触发或失效，增强了系统鲁棒性。封装方面采用标准TO-220形式，兼容现有产线装配工艺，同时可通过外接散热片实现良好热管理，适用于空间受限但功率密度要求较高的应用场景。整体而言，WL03GT12N凭借其高频、高效、高温和高可靠性的综合表现，成为新一代绿色能源与电动交通系统中不可或缺的关键元件之一。

WL03GT12N因其优异的电气与热学性能，被广泛用于各类中高压直流-交流与直流-直流功率转换系统中。在光伏（PV）太阳能逆变器中，该器件常用于直流链路的续流或升压级中的输出整流，利用其零反向恢复特性减少开关损耗，提升逆变效率，特别是在MPPT跟踪和夜间防逆流控制中表现突出。在电动汽车（EV）及充电桩领域，WL03GT12N可用于车载OBC（车载充电机）或直流快充模块的PFC（功率因数校正）电路中，作为升压二极管使用，帮助实现>95%的系统效率，并支持高频软开关拓扑如LLC谐振变换器。工业电机驱动系统中，该二极管可作为IGBT模块的续流路径元件，有效抑制关断时的能量回馈冲击，提高动态响应速度并延长主开关器件寿命。
　　此外，在通信电源、服务器PSU和UPS不间断电源等高可用性供电设备中，WL03GT12N也常用于桥式整流后级或DC-DC转换器次级侧，用于改善轻载与满载下的整体效率曲线。其耐高温特性使其特别适合密闭或自然冷却型电源设计，减少风扇依赖，提升系统静音性和可靠性。在感应加热、电焊机等大功率脉冲电源中，该器件能承受频繁的电流突变和高温循环，表现出卓越的耐用性。由于其体积小巧且无需缓冲电路，有助于缩小系统尺寸并降低BOM成本。总体来看，WL03GT12N适用于所有需要高效、紧凑、高可靠整流解决方案的现代电力电子系统，尤其在向碳化硅全面过渡的趋势下，已成为工程师优先选择的标准化器件之一。

C4D03120A
　　SD3003-G
　　VSI3T120-M3