ZMM13-M是一种高精度的霍尔效应传感器芯片,主要用于检测磁场强度和方向。它采用CMOS技术制造,具有低功耗、高灵敏度的特点。该芯片能够将磁场信号转换为电信号输出,并广泛应用于汽车电子、工业控制和消费类电子产品中。
其工作原理基于霍尔效应,当电流通过半导体材料时,若存在垂直于电流方向的磁场,则会在垂直于电流和磁场的方向上产生电势差。ZMM13-M通过对这种电势差的精确测量,提供与磁场强度成比例的模拟或数字输出。
电源电压:2.8V~5.5V
工作温度范围:-40℃~125℃
带宽:10Hz~2kHz
灵敏度:1mV/Gs
响应时间:1μs
静态工作电流:1mA
输出形式:模拟电压输出
ZMM13-M具有以下显著特性:
1. 高灵敏度:对微弱磁场变化有极高的响应能力。
2. 宽工作电压范围:能够在2.8V到5.5V之间稳定工作,适应性强。
3. 超低功耗:静态电流仅为1mA,适合电池供电设备。
4. 温度稳定性:能在极端温度环境下保持性能稳定,适用于恶劣的工作条件。
5. 小型化封装:通常采用SOT-23等小型封装形式,便于集成。
6. 可靠性高:经过严格的质量测试,确保长时间使用下的可靠性。
ZMM13-M广泛应用于多种领域:
1. 汽车电子:用于检测发动机转速、刹车系统状态等。
2. 工业自动化:用于无接触式位置检测、电机控制等。
3. 消费电子:用于智能手机、平板电脑中的指南针功能、接近传感器等。
4. 医疗设备:用于监测生命体征如心率、呼吸频率等。:用于门禁系统、防盗报警器等磁感应设备。
ZMM12-L, ZMM14-H