SFM-104-L2-S-D-K-TR 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高频功率开关芯片,主要用于高效率电源转换和射频应用。该器件采用先进的封装工艺,能够提供低导通电阻和快速开关性能,适用于工业、通信及消费电子领域中的高性能需求场景。
该型号是表面贴装器件(SMD),具有良好的散热性能和小型化设计特点,能够在紧凑的空间内实现高效的功率转换。
型号:SFM-104-L2-S-D-K-TR
类型:功率开关
材料:氮化镓(GaN)
额定电压:650 V
额定电流:8 A
导通电阻:70 mΩ
开关频率:最高 10 MHz
封装形式:DFN-8
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
存储温度范围:-65°C 至 +150°C
湿度敏感等级:MSL 3
SFM-104-L2-S-D-K-TR 的主要特点是采用了氮化镓技术,具备以下优势:
1. 极低的导通电阻,有助于降低功耗并提高系统效率。
2. 高速开关性能,支持高达 10 MHz 的工作频率,适用于高频应用。
3. 小型化封装,适合空间受限的设计场景。
4. 高耐压能力,额定电压为 650V,适应高压环境。
5. 出色的热性能,能够承受高温工作环境。
6. 符合 RoHS 标准,环保且可靠性高。
这些特性使 SFM-104-L2-S-D-K-TR 成为高效电源管理的理想选择。
该芯片广泛应用于多个领域:
1. 开关电源(SMPS):用于 AC/DC 和 DC/DC 转换器中,提升转换效率。
2. 无线充电:在高频谐振电路中提供稳定的功率传输。
3. 电机驱动:支持高效、高速的电机控制。
4. 激光驱动器:用于精密激光控制系统。
5. 射频功率放大器:提供高效率的 RF 输出。
6. 充电器与适配器:优化便携式设备的充电性能。
SFM-104-L2-S-D-K-TR 的高频特性和高效性能使其在这些领域中表现出色。
SFM-104-H2-S-D-K-TR
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