CST1235F-3R3M是一种表面贴装技术(SMT)陶瓷电容器,属于多层片式陶瓷电容器(MLCC)系列。这种电容器具有高可靠性和优异的频率特性,适用于各种高频电路和滤波应用。其结构由交替堆叠的陶瓷介质层和内部电极组成,能够提供稳定的电容值和低等效串联电阻(ESR)。该型号通常用于电源滤波、信号耦合、去耦以及RF电路中的匹配网络。
这种电容器采用了X7R温度补偿材料,确保在宽温度范围内具有较小的电容变化,非常适合对稳定性要求较高的应用场景。
封装:1206
电容值:3.3nF
额定电压:50V
温度特性:X7R
公差:±10%
工作温度范围:-55℃至+125℃
直流偏置特性:适中
寿命:无限制(固态陶瓷)
CST1235F-3R3M具备以下显著特点:
1. 稳定性高:由于采用X7R介质材料,该电容器在-55°C至+125°C的温度范围内,电容值的变化不超过±15%,从而保证了在极端环境下的性能一致性。
2. 小型化设计:使用1206封装,适合现代电子设备的小型化需求,并且易于自动化装配。
3. 高频性能优秀:低ESR和低等效串联电感(ESL),使其成为高频电路的理想选择,可有效抑制噪声并优化信号质量。
4. 可靠性强:陶瓷介质本身具有高耐久性,无需担心电解液蒸发或老化问题,使用寿命几乎不受限制。
5. 成本效益好:与同规格的其他类型电容器相比,价格更具竞争力,同时提供了可靠的电气性能。
CST1235F-3R3M广泛应用于消费类电子产品、工业设备和通信系统中,例如:
1. 滤波器:在开关电源和DC-DC转换器中用作输入输出滤波电容,降低纹波电压和电磁干扰(EMI)。
2. 去耦:为集成电路提供稳定的电源电压,减少数字电路中的瞬态电流影响。
3. RF电路:在射频前端模块中作为匹配网络的一部分,提高天线效率和信号传输质量。
4. 耦合:用于音频放大器和其他模拟电路中,实现不同级之间的信号传递而不会引入直流偏移。
5. 定时电路:配合电阻构成RC网络,生成精确的时间延迟或振荡频率。
CST1235F3R3M, GRM21BR60J330KA01D, Kemet C0G/NP0系列, AVX 1206YC330JAT2A