时间：2025/6/26 0:57:14
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TFM-130-01-F-D-A-K-TR 是一种基于氮化镓（GaN）技术的高效率功率晶体管，专为高频开关应用设计。该器件采用先进的封装技术，具有低导通电阻和快速开关特性，适合用于电源转换、DC-DC转换器、无线充电及射频功率放大等场景。
型号：TFM-130-01-F-D-A-K-TR
最大漏源电压：150V
连续漏极电流：20A
导通电阻：6mΩ
栅极电荷：80nC
反向恢复时间：<40ns
工作温度范围：-40℃ 至 +125℃
封装形式：TO-247-4L
该芯片具备高耐压性能，可承受高达150V的工作电压，确保在高压环境下稳定运行。
其导通电阻仅为6mΩ，有助于降低传导损耗并提高整体系统效率。
通过优化的栅极驱动设计，该器件的开关速度非常快，反向恢复时间小于40ns，非常适合高频应用。
此外，该产品采用坚固耐用的TO-247-4L封装形式，散热性能优异，并提供良好的电气隔离能力。
得益于其低寄生电感设计，该芯片在高频条件下表现出色，同时还能有效减少电磁干扰（EMI）问题。
TFM-130-01-F-D-A-K-TR 广泛应用于各类高效能电力电子设备中，包括但不限于：
- 开关模式电源（SMPS）
- DC-DC 转换器
- 无线充电发射端
- 射频功率放大器
- 工业电机驱动
- 新能源汽车中的车载充电器（OBC）和DC-DC变换模块
TFM-130-01-F-D-A-J-TR
TFM-150-01-F-D-A-K-TR
GAN042-650DS
