类型：N沟道MOSFET
　　封装类型：SOT-23
　　最大漏极电流（ID）：100 mA
　　最大漏源电压（VDS）：15 V
　　最大栅源电压（VGS）：±20 V
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　频率范围：高达500 MHz
　　噪声系数：典型值0.8 dB
　　增益：典型值18 dB（在100 MHz）
　　输入/输出阻抗：50 Ω匹配

BF998,215是一款专为低噪声、高频率应用设计的MOSFET。其主要特性包括优异的噪声性能和高增益，使其在射频前端设计中表现出色。该器件的SOT-23封装不仅节省空间，而且具有良好的热性能，确保在高频工作时的稳定性。
　　BF998,215的输入和输出阻抗设计为50 Ω，能够直接与常见的射频系统匹配，减少了外部匹配电路的复杂性。其噪声系数在典型工作条件下仅为0.8 dB，这使得它在微弱信号放大方面非常有效。此外，该器件的增益在100 MHz时可达到18 dB，随着频率的升高，增益略有下降，但仍保持在可接受范围内。
　　该晶体管的漏极电流最大为100 mA，漏源电压为15 V，栅源电压容限为±20 V，使其能够在多种电源条件下稳定运行。工作温度范围从-55°C到+150°C，保证了其在恶劣环境下的可靠性。

BF998,215广泛应用于需要低噪声和高频率响应的电子系统中。它常用于射频接收器的前端放大器，如广播接收器、无线通信模块和测量设备。此外，该器件也适用于中频放大器、天线放大器以及各种射频测试仪器。
　　在无线通信系统中，BF998,215可以作为低噪声放大器（LNA），用于增强接收到的微弱信号，从而提高系统的整体灵敏度。由于其良好的噪声性能和50 Ω输入输出阻抗匹配，它可以简化电路设计并减少外部元件的使用。
　　在测试和测量设备中，BF998,215可用于构建高精度的射频信号放大模块，确保测量数据的准确性。此外，在广播和电视接收器中，该晶体管可用于增强信号接收质量，提高图像和音频的清晰度。

BF998,215的替代型号包括BF998和BF998TS。这些型号在性能和封装上非常相似，但可能在供货情况、价格或具体参数上有所不同，因此在替代使用前应仔细核对规格书。