时间：2025/7/16 10:05:59
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BSS169是一款N沟道增强型小信号MOSFET，广泛应用于低功率开关和负载驱动应用中。该器件具有较低的导通电阻和良好的开关特性，适用于需要高效能和低功耗的应用场景。BSS169-H6327可能是特定封装或制造商编号的一个变体，具体细节需根据制造商规范确认。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压Vds：50V
最大栅源电压Vgs：±20V
最大漏极电流Id：0.4A
导通电阻Rds(on)：10Ω（典型值，Vgs=10V）
总功耗Ptot：410mW（Ta=25℃）
工作温度范围：-55℃至+150℃
BSS169属于小型化、高可靠性的MOSFET器件。
1. 具有低导通电阻，有助于减少功率损耗，提高效率。
2. 良好的开关性能，适合高频应用。
3. 高输入阻抗，易于驱动，减少了对外部电路的要求。
4. 工作温度范围宽，能够在恶劣环境下稳定运行。
5. 小型SOT-23封装，节省PCB空间，适合便携式设备使用。
BSS169适用于多种低功率电子应用领域。
1. 开关电源中的同步整流。
2. 各类消费电子产品的负载开关控制。
3. 电池供电设备中的保护电路。
4. 音频信号切换和处理。
5. 数据通信接口保护。
6. 汽车电子系统中的低功率控制单元。
BSS123
BSS84
2N7002
