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BSS169-H6327 发布时间 时间:2025/7/16 10:05:59 查看 阅读:10

BSS169是一款N沟道增强型小信号MOSFET,广泛应用于低功率开关和负载驱动应用中。该器件具有较低的导通电阻和良好的开关特性,适用于需要高效能和低功耗的应用场景。BSS169-H6327可能是特定封装或制造商编号的一个变体,具体细节需根据制造商规范确认。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压Vds:50V
  最大栅源电压Vgs:±20V
  最大漏极电流Id:0.4A
  导通电阻Rds(on):10Ω(典型值,Vgs=10V)
  总功耗Ptot:410mW(Ta=25℃)
  工作温度范围:-55℃至+150℃

特性

BSS169属于小型化、高可靠性的MOSFET器件。
  1. 具有低导通电阻,有助于减少功率损耗,提高效率。
  2. 良好的开关性能,适合高频应用。
  3. 高输入阻抗,易于驱动,减少了对外部电路的要求。
  4. 工作温度范围宽,能够在恶劣环境下稳定运行。
  5. 小型SOT-23封装,节省PCB空间,适合便携式设备使用。

应用

BSS169适用于多种低功率电子应用领域。
  1. 开关电源中的同步整流。
  2. 各类消费电子产品的负载开关控制。
  3. 电池供电设备中的保护电路。
  4. 音频信号切换和处理。
  5. 数据通信接口保护。
  6. 汽车电子系统中的低功率控制单元。

替代型号

BSS123
  BSS84
  2N7002