时间：2025/8/2 7:04:24
阅读：14
APM2600CC-TRG是一款由Advanced Power Technology生产的高性能功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率、高功率密度的电源转换应用设计。该器件采用了先进的沟槽技术，具有较低的导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通损耗，提高了整体系统效率。此外，APM2600CC-TRG具备较高的电流承载能力和热稳定性，适用于各种高功率应用，如DC-DC转换器、电源管理模块、电机驱动器和负载开关等。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：120A（在25°C时）
最大漏极-源极电压（VDS）：60V
最大栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：约2.5mΩ（典型值）
封装类型：TO-263（表面贴装）
工作温度范围：-55°C至175°C
热阻（RθJC）：约0.45°C/W
功率耗散（PD）：300W（在25°C时）
APM2600CC-TRG具备多项优异特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其极低的导通电阻（RDS(on)）能够显著降低导通损耗，提高电源转换效率。其次，该MOSFET采用先进的沟槽技术，提供了优异的热稳定性和可靠性，能够在高温环境下稳定工作。此外，APM2600CC-TRG的最大漏极电流高达120A，具备较强的电流承载能力，适合高电流应用。该器件的封装形式为TO-263，适用于表面贴装技术，有助于提高PCB布局的紧凑性和热管理效率。其宽广的工作温度范围（-55°C至175°C）使其能够适应各种严苛的工业环境。最后，APM2600CC-TRG的栅极驱动电压范围较宽（±20V），允许使用不同的驱动电路设计，提高了设计的灵活性。
APM2600CC-TRG还具备良好的短路耐受能力和过载保护功能，能够在异常工况下保持稳定运行。其快速的开关速度和低输入电容（Ciss）也有助于减少开关损耗，提高整体系统性能。这些特性使得该MOSFET在高功率、高频开关应用中表现出色，例如在服务器电源、电信设备、工业电源、电池管理系统（BMS）和电动汽车充电系统中。
APM2600CC-TRG广泛应用于高功率密度电源系统中，如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、电源管理模块以及工业自动化设备。此外，该器件也非常适合用于服务器电源、通信设备、UPS（不间断电源）、太阳能逆变器和电动汽车充电系统等高可靠性应用场景。由于其优异的热性能和高电流承载能力，APM2600CC-TRG在需要高效能、高稳定性的功率管理方案中具有显著优势。
IRF1405, AUIRF1405, SiS434DN, FDD8870, FDD8875
