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GA1206A390FXCBP31G 发布时间 时间:2025/7/1 14:53:58 查看 阅读:9

GA1206A390FXCBP31G 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管,主要应用于电源管理、电机驱动和工业控制等领域。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够显著提升系统的效率和可靠性。
  该型号属于沟道增强型 MOSFET 系列,支持高频开关操作,适用于需要高效能量转换的应用场景。

参数

类型:MOSFET
  极性:N-Channel
  漏源极击穿电压:60V
  连续漏极电流:39A
  导通电阻:1.5mΩ
  栅极电荷:45nC
  最大工作结温:175°C
  封装形式:TO-263

特性

GA1206A390FXCBP31G 具有以下关键特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于降低功率损耗并提高系统效率。
  2. 高电流承载能力,使其适合大功率应用。
  3. 快速开关性能,能够减少开关损耗。
  4. 优秀的热性能,确保在高温环境下稳定运行。
  5. 封装设计紧凑且易于安装,适应各种复杂电路布局。
  此外,该器件还具备出色的可靠性和抗干扰能力,能够有效保护电路免受过载和短路的影响。

应用

GA1206A390FXCBP31G 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)和 DC-DC 转换器中的功率开关。
  2. 工业电机驱动和伺服控制系统。
  3. 太阳能逆变器和其他可再生能源设备。
  4. 汽车电子系统中的负载切换和电池管理。
  5. 各种消费类电子产品中的电源管理和信号调节。
  由于其优异的性能和广泛的适用性,该芯片成为许多高要求应用的理想选择。

替代型号

GA1206A380FXCBP31G, IRF3205, FDP5800

GA1206A390FXCBP31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 电容39 pF
  • 容差±1%
  • 电压 - 额定200V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-