类型: N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压 (Vds): 30V
　　栅源电压 (Vgs): ±20V
　　连续漏极电流 (Id): 60A
　　功耗 (Pd): 150W
　　工作温度范围: -55°C 至 +175°C
　　封装类型: TO-263 (D2PAK)
　　导通电阻 (Rds(on)): 最大值 0.0045Ω @ Vgs = 10V
　　阈值电压 (Vgs(th)): 1V 至 3V
　　输入电容 (Ciss): 约为 1900pF

WFF830N 的主要特性之一是其非常低的导通电阻 (Rds(on))，这使得在高电流条件下能够显著降低功率损耗，从而提高整体系统效率。
　　此外，该器件采用先进的沟槽技术制造，优化了电性能并增强了热稳定性。
　　TO-263 (D2PAK) 封装提供了良好的散热性能，允许 WFF830N 在高负载条件下保持稳定运行。
　　该 MOSFET 支持高达 ±20V 的栅极电压，使其兼容多种驱动电路，并提高了抗干扰能力。
　　WFF830N 还具备较高的雪崩能量承受能力，有助于防止因瞬态过压而引起的损坏，从而提升了系统的可靠性和耐用性。
　　此外，它具有较低的输入电容，可以减少开关过程中的延迟和功耗，适合高频开关应用。

WFF830N 广泛应用于多个领域，包括但不限于：
　　1. 直流电源管理系统：如同步整流器、电池充电器和放电器；
　　2. DC-DC 转换器：用于电信设备、服务器电源和嵌入式系统；
　　3. 负载开关：适用于需要快速开关高电流负载的场合，例如工业自动化控制系统；
　　4. 电动工具和无刷直流电机控制：凭借其高电流承载能力和低 Rds(on)，在电机驱动电路中表现优异；
　　5. 汽车电子：可用于车载电源转换、起动电机控制器等应用场景。
　　总体而言，WFF830N 凭借其卓越的电气性能和可靠性，是许多高要求电力电子设计的理想选择。

IRF3710, FDP830N, SiS830N, STB830N